IPB039N10N3 G Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 266.26 грн |
| 10+ | 170.94 грн |
| 100+ | 103.60 грн |
| 500+ | 87.09 грн |
| 1000+ | 81.08 грн |
| 2000+ | 75.82 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB039N10N3 G Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; Idm: 640A; 214W; TO263-7, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 160A, Power dissipation: 214W, Case: TO263-7, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 3.9mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 640A, Gate charge: 88nC, Application: automotive industry.
Інші пропозиції IPB039N10N3 G за ціною від 166.90 грн до 239.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB039N10N3 G | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; Idm: 640A; 214W; TO263-7 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Drain-source voltage: 100V Drain current: 160A Power dissipation: 214W Case: TO263-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 640A Gate charge: 88nC Application: automotive industry |
на замовлення 281 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||
| IPB039N10N3G | Infineon technologies |
на замовлення 39 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPB039N10N3 G |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; Idm: 640A; 214W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 214W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 640A
Gate charge: 88nC
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; Idm: 640A; 214W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 214W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 640A
Gate charge: 88nC
Application: automotive industry
на замовлення 281 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 239.04 грн |
| 30+ | 181.30 грн |
| 50+ | 173.67 грн |
| 100+ | 166.90 грн |
| IPB039N10N3G |
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)