Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB039N10N3GATMA1
IPB039N10N3GATMA1

IPB039N10N3GATMA1 Infineon Technologies

IPB039N10N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ed1fd3915e0
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+80.40 грн
3000+69.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB039N10N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB039N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 160 A, 3900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, Verlustleistung: 214W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm.

Інші пропозиції IPB039N10N3GATMA1 за ціною від 78.49 грн до 299.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB039N10N3GATMA1 IPB039N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipb039n10n3g_rev2.03.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+109.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 IPB039N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipb039n10n3g_rev2.03.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+111.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 IPB039N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipb039n10n3g_rev2.03.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+154.86 грн
10+135.95 грн
25+123.06 грн
100+112.13 грн
250+102.82 грн
500+96.77 грн
1000+94.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 IPB039N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipb039n10n3g_rev2.03.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+154.86 грн
104+135.95 грн
115+123.06 грн
122+112.13 грн
250+102.82 грн
500+96.77 грн
1000+94.91 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 IPB039N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipb039n10n3g_rev2.03.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+219.91 грн
50+169.11 грн
100+152.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 IPB039N10N3GATMA1 Infineon Technologies IPB039N10N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ed1fd3915e0 Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.56 грн
10+148.33 грн
50+114.05 грн
100+96.66 грн
500+78.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 IPB039N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipb039n10n3g_rev2.03.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+299.42 грн
69+206.52 грн
87+162.94 грн
100+143.10 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 IPB039N10N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB039N10N3G_DS_v02_03_en.pdf MOSFETs N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 IPB039N10N3GATMA1 INFINEON INFNS16282-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB039N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 160 A, 3900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
на замовлення 2587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 ipb039n10n3g_rev2.03.pdf
IPB039N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+109.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 ipb039n10n3g_rev2.03.pdf
IPB039N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+111.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 ipb039n10n3g_rev2.03.pdf
IPB039N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+154.86 грн
10+135.95 грн
25+123.06 грн
100+112.13 грн
250+102.82 грн
500+96.77 грн
1000+94.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 ipb039n10n3g_rev2.03.pdf
IPB039N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
92+154.86 грн
104+135.95 грн
115+123.06 грн
122+112.13 грн
250+102.82 грн
500+96.77 грн
1000+94.91 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 ipb039n10n3g_rev2.03.pdf
IPB039N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+219.91 грн
50+169.11 грн
100+152.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 IPB039N10N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ed1fd3915e0
IPB039N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+236.56 грн
10+148.33 грн
50+114.05 грн
100+96.66 грн
500+78.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 ipb039n10n3g_rev2.03.pdf
IPB039N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
48+299.42 грн
69+206.52 грн
87+162.94 грн
100+143.10 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 Infineon_IPB039N10N3G_DS_v02_03_en.pdf
IPB039N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 INFNS16282-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB039N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB039N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 160 A, 3900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
на замовлення 2587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.