Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB039N10N3GATMA1
IPB039N10N3GATMA1

IPB039N10N3GATMA1 Infineon Technologies

ipb039n10n3g_rev2.03.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+74.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB039N10N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 214W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 160µA, Supplier Device Package: PG-TO263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IPB039N10N3GATMA1 за ціною від 87.3 грн до 233.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPB039N10N3GATMA1 IPB039N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPB039N10N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ed1fd3915e0 Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+102.26 грн
2000+ 92.73 грн
5000+ 88.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPB039N10N3GATMA1 IPB039N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPB039N10N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ed1fd3915e0 Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
на замовлення 29709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+197.88 грн
10+ 159.95 грн
100+ 129.38 грн
500+ 107.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB039N10N3GATMA1 IPB039N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB039N10N3G_DS_v02_03_en-1226843.pdf MOSFET N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 1682 шт:
термін постачання 147-156 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+211.86 грн
10+ 175.05 грн
25+ 148.88 грн
100+ 122.84 грн
250+ 120.17 грн
500+ 105.48 грн
1000+ 91.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB039N10N3GATMA1 IPB039N10N3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16282-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB039N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 160 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Anzahl der Pins: 7Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
на замовлення 4889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+233.66 грн
10+ 164.76 грн
100+ 134.06 грн
500+ 116.83 грн
1000+ 87.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPB039N10N3GATMA1 IPB039N10N3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB039N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPB039N10N3GATMA1 IPB039N10N3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB039N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній