Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB039N10N3GATMA1
IPB039N10N3GATMA1

IPB039N10N3GATMA1 Infineon Technologies

ipb039n10n3g_rev2.03.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+110.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB039N10N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB039N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 160 A, 3900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, Verlustleistung: 214W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm.

Інші пропозиції IPB039N10N3GATMA1 за ціною від 95.13 грн до 300.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB039N10N3GATMA1 IPB039N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipb039n10n3g_rev2.03.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+111.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 IPB039N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipb039n10n3g_rev2.03.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+155.20 грн
10+136.25 грн
25+123.33 грн
100+112.38 грн
250+103.05 грн
500+96.98 грн
1000+95.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 IPB039N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipb039n10n3g_rev2.03.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+155.20 грн
104+136.25 грн
115+123.33 грн
122+112.38 грн
250+103.05 грн
500+96.98 грн
1000+95.13 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 IPB039N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipb039n10n3g_rev2.03.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+220.40 грн
50+169.49 грн
100+153.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 IPB039N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipb039n10n3g_rev2.03.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+300.09 грн
69+206.99 грн
87+163.30 грн
100+143.42 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 IPB039N10N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB039N10N3G_DS_v02_03_en.pdf MOSFETs N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 IPB039N10N3GATMA1 INFINEON INFNS16282-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB039N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 160 A, 3900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
на замовлення 2587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 ipb039n10n3g_rev2.03.pdf
IPB039N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+111.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 ipb039n10n3g_rev2.03.pdf
IPB039N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+155.20 грн
10+136.25 грн
25+123.33 грн
100+112.38 грн
250+103.05 грн
500+96.98 грн
1000+95.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 ipb039n10n3g_rev2.03.pdf
IPB039N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
92+155.20 грн
104+136.25 грн
115+123.33 грн
122+112.38 грн
250+103.05 грн
500+96.98 грн
1000+95.13 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 ipb039n10n3g_rev2.03.pdf
IPB039N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+220.40 грн
50+169.49 грн
100+153.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 ipb039n10n3g_rev2.03.pdf
IPB039N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
48+300.09 грн
69+206.99 грн
87+163.30 грн
100+143.42 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 Infineon_IPB039N10N3G_DS_v02_03_en.pdf
IPB039N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 INFNS16282-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB039N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB039N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 160 A, 3900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
на замовлення 2587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.