Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB040N08NF2SATMA1
IPB040N08NF2SATMA1

IPB040N08NF2SATMA1 Infineon Technologies

infineonipb040n08nf2sdatasheetv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+57.33 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB040N08NF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 107 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 107A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StronglRFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm.

Інші пропозиції IPB040N08NF2SATMA1 за ціною від 57.33 грн до 168.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB040N08NF2SATMA1 IPB040N08NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb040n08nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+57.33 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB040N08NF2SATMA1 IPB040N08NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb040n08nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+59.34 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB040N08NF2SATMA1 IPB040N08NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb040n08nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+60.16 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB040N08NF2SATMA1 IPB040N08NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb040n08nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
344+103.18 грн
500+92.87 грн
1000+85.65 грн
10000+73.63 грн
Мінімальне замовлення: 344 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB040N08NF2SATMA1 IPB040N08NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB040N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4dc00361b15 Description: MOSFET N-CH 80V 107A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.53 грн
10+104.03 грн
50+78.96 грн
100+66.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB040N08NF2SATMA1 IPB040N08NF2SATMA1 Infineon Technologies infineon_ipb040n08nf2s_datasheet_en.pdf MOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB040N08NF2SATMA1 IPB040N08NF2SATMA1 INFINEON 3812006.pdf Description: INFINEON - IPB040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 107 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB040N08NF2SATMA1 IPB040N08NF2SATMA1 INFINEON 3812006.pdf Description: INFINEON - IPB040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 107 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB040N08NF2SATMA1 infineonipb040n08nf2sdatasheetv0200en.pdf
IPB040N08NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+57.33 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB040N08NF2SATMA1 infineonipb040n08nf2sdatasheetv0200en.pdf
IPB040N08NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+59.34 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB040N08NF2SATMA1 infineonipb040n08nf2sdatasheetv0200en.pdf
IPB040N08NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+60.16 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB040N08NF2SATMA1 infineonipb040n08nf2sdatasheetv0200en.pdf
IPB040N08NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
344+103.18 грн
500+92.87 грн
1000+85.65 грн
10000+73.63 грн
Мінімальне замовлення: 344 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB040N08NF2SATMA1 Infineon-IPB040N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4dc00361b15
IPB040N08NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 107A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+168.53 грн
10+104.03 грн
50+78.96 грн
100+66.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB040N08NF2SATMA1 infineon_ipb040n08nf2s_datasheet_en.pdf
IPB040N08NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB040N08NF2SATMA1 3812006.pdf
IPB040N08NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 107 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB040N08NF2SATMA1 3812006.pdf
IPB040N08NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 107 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.