Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPB042N10N3GATMA1

IPB042N10N3GATMA1

IPP045N10N3+G_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1e8b0cc31586
Код товару: 117738
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPB042N10N3GATMA1 за ціною від 75.04 грн до 252.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GATMA1 Infineon Technologies 1266191587085677ipp045n10n3g_rev2.3.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+85.89 грн
3000+85.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GATMA1 Infineon Technologies 1266191587085677ipp045n10n3g_rev2.3.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+85.89 грн
3000+85.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GATMA1 Infineon Technologies IPP045N10N3+G_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1e8b0cc31586 Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+86.61 грн
3000+75.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB042N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 979 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+186.64 грн
10+120.49 грн
20+106.46 грн
50+93.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GATMA1 Infineon Technologies 1266191587085677ipp045n10n3g_rev2.3.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+246.15 грн
10+165.15 грн
50+158.51 грн
100+118.58 грн
500+89.77 грн
1000+83.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GATMA1 Infineon Technologies 1266191587085677ipp045n10n3g_rev2.3.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+246.57 грн
87+165.44 грн
90+158.77 грн
116+118.78 грн
500+89.92 грн
1000+84.07 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GATMA1 Infineon Technologies IPP045N10N3+G_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1e8b0cc31586 Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
на замовлення 16433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.22 грн
10+158.50 грн
50+122.20 грн
100+103.70 грн
500+84.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB042N10N3_G_DS_v02_09_EN.pdf MOSFETs N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 4145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GATMA1 INFINEON INFN-S-A0003614491-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB042N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GATMA1 INFINEON INFN-S-A0003614491-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB042N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 1266191587085677ipp045n10n3g_rev2.3.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf
IPB042N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+85.89 грн
3000+85.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 1266191587085677ipp045n10n3g_rev2.3.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf
IPB042N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+85.89 грн
3000+85.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 IPP045N10N3+G_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1e8b0cc31586
IPB042N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+86.61 грн
3000+75.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3G-DTE.pdf
IPB042N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 979 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+186.64 грн
10+120.49 грн
20+106.46 грн
50+93.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 1266191587085677ipp045n10n3g_rev2.3.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf
IPB042N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+246.15 грн
10+165.15 грн
50+158.51 грн
100+118.58 грн
500+89.77 грн
1000+83.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 1266191587085677ipp045n10n3g_rev2.3.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf
IPB042N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
58+246.57 грн
87+165.44 грн
90+158.77 грн
116+118.78 грн
500+89.92 грн
1000+84.07 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 IPP045N10N3+G_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1e8b0cc31586
IPB042N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
на замовлення 16433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+252.22 грн
10+158.50 грн
50+122.20 грн
100+103.70 грн
500+84.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 Infineon_IPB042N10N3_G_DS_v02_09_EN.pdf
IPB042N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 4145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 INFN-S-A0003614491-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB042N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB042N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 INFN-S-A0003614491-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB042N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB042N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.