IPB042N10N3GATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 55.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB042N10N3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB042N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPB042N10N3GATMA1 за ціною від 56.15 грн до 182.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB042N10N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 26000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB042N10N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 26000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB042N10N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 31000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB042N10N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 31000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPB042N10N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 137A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB042N10N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB042N10N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V |
на замовлення 25413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPB042N10N3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB042N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPB042N10N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3 |
на замовлення 3995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB042N10N3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB042N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPB042N10N3GATMA1 Код товару: 117738
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
|
|
IPB042N10N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| IPB042N10N3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPB042N10N3GATMA1 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |