Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB042N10N3GATMA1
IPB042N10N3GATMA1

IPB042N10N3GATMA1 Infineon Technologies

IPP045N10N3+G_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1e8b0cc31586 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+55.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB042N10N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB042N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPB042N10N3GATMA1 за ціною від 55.86 грн до 188.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1266191587085677ipp045n10n3g_rev2.3.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+56.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1266191587085677ipp045n10n3g_rev2.3.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+60.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1266191587085677ipp045n10n3g_rev2.3.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+66.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1266191587085677ipp045n10n3g_rev2.3.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+70.51 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1266191587085677ipp045n10n3g_rev2.3.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 137A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+78.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1266191587085677ipp045n10n3g_rev2.3.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+116.32 грн
115+106.69 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0003614491-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB042N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+130.05 грн
200+94.10 грн
500+74.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB042N10N3_G_DS_v02_09_EN-3362205.pdf MOSFETs N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.25 грн
10+106.48 грн
100+75.20 грн
500+65.79 грн
1000+55.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0003614491-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB042N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+181.56 грн
10+130.89 грн
50+130.05 грн
200+94.10 грн
500+74.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPP045N10N3+G_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1e8b0cc31586 Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
на замовлення 25527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.92 грн
10+117.47 грн
100+80.68 грн
500+61.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1
Код товару: 117738
Додати до обраних Обраний товар

IPP045N10N3+G_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1e8b0cc31586 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1266191587085677ipp045n10n3g_rev2.3.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BABA01FCD4A11C&compId=IPB042N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=03163bd03bda3b852bbe6f9c1de3fb160b935fb0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BABA01FCD4A11C&compId=IPB042N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=03163bd03bda3b852bbe6f9c1de3fb160b935fb0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.