Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB043N10NF2SATMA1
IPB043N10NF2SATMA1

IPB043N10NF2SATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB043N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4dc08991b18
Виробник: Infineon Technologies
Description: AUTOMOTIVE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.35mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+75.06 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB043N10NF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB043N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 135 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 135A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 167W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StronglRFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm.

Інші пропозиції IPB043N10NF2SATMA1 за ціною від 53.82 грн до 232.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB043N10NF2SATMA1 IPB043N10NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb043n10nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+87.54 грн
165+86.66 грн
172+83.20 грн
240+57.33 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB043N10NF2SATMA1 IPB043N10NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb043n10nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.47 грн
10+88.76 грн
25+87.86 грн
50+81.34 грн
100+53.82 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB043N10NF2SATMA1 IPB043N10NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb043n10nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+208.76 грн
10+143.31 грн
25+141.87 грн
50+123.93 грн
100+62.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB043N10NF2SATMA1 IPB043N10NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb043n10nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+209.12 грн
100+143.55 грн
101+142.11 грн
111+124.14 грн
203+62.88 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB043N10NF2SATMA1 IPB043N10NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB043N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4dc08991b18 Description: AUTOMOTIVE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.35mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.83 грн
10+137.26 грн
50+105.01 грн
100+88.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB043N10NF2SATMA1 IPB043N10NF2SATMA1 Infineon Technologies infineon_ipb043n10nf2s_datasheet_en.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 2387 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+232.07 грн
10+147.18 грн
100+87.76 грн
500+71.67 грн
800+66.04 грн
2400+63.55 грн
4800+61.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB043N10NF2SATMA1 IPB043N10NF2SATMA1 INFINEON 3812007.pdf Description: INFINEON - IPB043N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 135 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB043N10NF2SATMA1 IPB043N10NF2SATMA1 INFINEON 3812007.pdf Description: INFINEON - IPB043N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 135 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB043N10NF2SATMA1 infineonipb043n10nf2sdatasheetv0200en.pdf
IPB043N10NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
163+87.54 грн
165+86.66 грн
172+83.20 грн
240+57.33 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB043N10NF2SATMA1 infineonipb043n10nf2sdatasheetv0200en.pdf
IPB043N10NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+103.47 грн
10+88.76 грн
25+87.86 грн
50+81.34 грн
100+53.82 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB043N10NF2SATMA1 infineonipb043n10nf2sdatasheetv0200en.pdf
IPB043N10NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+208.76 грн
10+143.31 грн
25+141.87 грн
50+123.93 грн
100+62.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB043N10NF2SATMA1 infineonipb043n10nf2sdatasheetv0200en.pdf
IPB043N10NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
69+209.12 грн
100+143.55 грн
101+142.11 грн
111+124.14 грн
203+62.88 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB043N10NF2SATMA1 Infineon-IPB043N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4dc08991b18
IPB043N10NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: AUTOMOTIVE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.35mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+219.83 грн
10+137.26 грн
50+105.01 грн
100+88.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB043N10NF2SATMA1 infineon_ipb043n10nf2s_datasheet_en.pdf
IPB043N10NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 2387 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+232.07 грн
10+147.18 грн
100+87.76 грн
500+71.67 грн
800+66.04 грн
2400+63.55 грн
4800+61.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB043N10NF2SATMA1 3812007.pdf
IPB043N10NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB043N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 135 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB043N10NF2SATMA1 3812007.pdf
IPB043N10NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB043N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 135 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.