IPB043N10NF2SATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 170+ | 81.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB043N10NF2SATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB043N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 135 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 135A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StronglRFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IPB043N10NF2SATMA1 за ціною від 43.20 грн до 274.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPB043N10NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPB043N10NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: AUTOMOTIVE MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 135A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.35mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 93µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V |
на замовлення 202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPB043N10NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >80 - 100V |
на замовлення 441 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPB043N10NF2SATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB043N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 135 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 135A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StronglRFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 69 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB043N10NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB043N10NF2SATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB043N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 135 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 135A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StronglRFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 69 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
IPB043N10NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IPB043N10NF2SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: AUTOMOTIVE MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 135A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.35mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 93µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| IPB043N10NF2SATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 135A; 167W; D2PAK-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 135A Power dissipation: 167W Case: D2PAK-3 On-state resistance: 4.35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 57nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |