IPB044N15N5ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 87A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 75 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB044N15N5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 174A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm.
Інші пропозиції IPB044N15N5ATMA1 за ціною від 161.78 грн до 406.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPB044N15N5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPB044N15N5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPB044N15N5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPB044N15N5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPB044N15N5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 13619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPB044N15N5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 178000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPB044N15N5ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 87A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 75 V |
на замовлення 4172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPB044N15N5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPB044N15N5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPB044N15N5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPB044N15N5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPB044N15N5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPB044N15N5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IPB044N15N5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IPB044N15N5ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 3766 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IPB044N15N5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 174A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IPB044N15N5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 174A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm |
на замовлення 1567 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPB044N15N5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 207.13 грн |
| 2000+ | 204.25 грн |
| IPB044N15N5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 209.75 грн |
| 2000+ | 206.84 грн |
| IPB044N15N5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 217.95 грн |
| 2000+ | 214.11 грн |
| IPB044N15N5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 217.95 грн |
| 2000+ | 214.11 грн |
| IPB044N15N5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 143+ | 245.86 грн |
| 500+ | 232.98 грн |
| 1000+ | 220.10 грн |
| 10000+ | 199.82 грн |
| IPB044N15N5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 178000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 334.10 грн |
| 2000+ | 320.91 грн |
| IPB044N15N5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 87A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 75 V
Description: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 87A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 75 V
на замовлення 4172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 379.48 грн |
| 10+ | 244.38 грн |
| 100+ | 175.72 грн |
| 500+ | 161.78 грн |
| IPB044N15N5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 37+ | 385.79 грн |
| IPB044N15N5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 36+ | 393.95 грн |
| IPB044N15N5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 403.86 грн |
| 10+ | 385.79 грн |
| IPB044N15N5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 35+ | 406.48 грн |
| 43+ | 327.59 грн |
| IPB044N15N5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 35+ | 406.48 грн |
| 41+ | 344.36 грн |
| IPB044N15N5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPB044N15N5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPB044N15N5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 3766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPB044N15N5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPB044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPB044N15N5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
Description: INFINEON - IPB044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






