IPB044N15N5ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 87A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 75 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 156.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB044N15N5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 174A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPB044N15N5ATMA1 за ціною від 173.65 грн до 760.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB044N15N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IPB044N15N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPB044N15N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPB044N15N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPB044N15N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 87A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 75 V |
на замовлення 1708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPB044N15N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPB044N15N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IPB044N15N5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 174A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IPB044N15N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 7168 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPB044N15N5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 174A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 3324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPB044N15N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPB044N15N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |