Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB044N15N5ATMA1
IPB044N15N5ATMA1

IPB044N15N5ATMA1 Infineon Technologies

5infineon-ipb044n15n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462576f347501576f.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+226.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB044N15N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 174A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPB044N15N5ATMA1 за ціною від 172.97 грн до 751.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB044N15N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 5infineon-ipb044n15n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462576f347501576f.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+310.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 5infineon-ipb044n15n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462576f347501576f.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+325.03 грн
2000+316.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 5infineon-ipb044n15n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462576f347501576f.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+334.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 5infineon-ipb044n15n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462576f347501576f.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+349.47 грн
2000+338.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 Виробник : INFINEON 2371099.pdf Description: INFINEON - IPB044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+370.48 грн
50+288.15 грн
200+251.52 грн
500+217.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 5infineon-ipb044n15n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462576f347501576f.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+373.26 грн
37+332.69 грн
50+316.46 грн
100+296.36 грн
200+268.06 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB044N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f347501576ffd3e582757 Description: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 87A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 75 V
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+405.68 грн
10+266.81 грн
100+198.93 грн
500+172.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB044N15N5_DS_v02_00_EN-1731770.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 7168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+483.77 грн
10+357.85 грн
100+235.58 грн
500+232.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 Виробник : INFINEON 2371099.pdf Description: INFINEON - IPB044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+571.37 грн
5+543.38 грн
10+515.38 грн
50+438.05 грн
100+366.25 грн
250+359.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 5infineon-ipb044n15n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462576f347501576f.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+751.60 грн
23+547.72 грн
50+485.85 грн
100+440.13 грн
200+383.98 грн
500+344.28 грн
1000+322.55 грн
2000+321.68 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 5infineon-ipb044n15n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462576f347501576f.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB044N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f347501576ffd3e582757 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 123A; Idm: 696A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 123A
Pulsed drain current: 696A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB044N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f347501576ffd3e582757 Description: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 87A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB044N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f347501576ffd3e582757 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 123A; Idm: 696A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 123A
Pulsed drain current: 696A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.