Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB044N15N5ATMA1
IPB044N15N5ATMA1

IPB044N15N5ATMA1 Infineon Technologies

infineonipb044n15n5dsv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+199.13 грн
3000+185.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB044N15N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 174A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm.

Інші пропозиції IPB044N15N5ATMA1 за ціною від 187.73 грн до 558.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB044N15N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipb044n15n5dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+201.88 грн
3000+187.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB044N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f347501576ffd3e582757 Description: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 87A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 75 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+219.19 грн
3000+211.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipb044n15n5dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+252.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipb044n15n5dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+252.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipb044n15n5dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 184000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+292.13 грн
3000+292.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipb044n15n5dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+387.25 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipb044n15n5dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+392.48 грн
100+372.45 грн
500+353.59 грн
1000+321.64 грн
10000+279.92 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipb044n15n5dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+400.83 грн
10+387.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipb044n15n5dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+541.09 грн
10+374.14 грн
50+369.10 грн
100+279.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipb044n15n5dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+542.02 грн
38+374.78 грн
50+369.73 грн
100+279.82 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB044N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f347501576ffd3e582757 Description: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 87A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 75 V
на замовлення 8490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+558.22 грн
10+364.29 грн
50+290.09 грн
100+249.85 грн
500+242.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 INFINEON 2371099.pdf Description: INFINEON - IPB044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipb044n15n5dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB044N15N5_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 8526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 INFINEON 2371099.pdf Description: INFINEON - IPB044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 infineonipb044n15n5dsv0200en.pdf
IPB044N15N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+201.88 грн
3000+187.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 Infineon-IPB044N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f347501576ffd3e582757
IPB044N15N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 87A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 75 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+219.19 грн
3000+211.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 infineonipb044n15n5dsv0200en.pdf
IPB044N15N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+252.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 infineonipb044n15n5dsv0200en.pdf
IPB044N15N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+252.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 infineonipb044n15n5dsv0200en.pdf
IPB044N15N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 184000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+292.13 грн
3000+292.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 infineonipb044n15n5dsv0200en.pdf
IPB044N15N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+387.25 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 infineonipb044n15n5dsv0200en.pdf
IPB044N15N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
91+392.48 грн
100+372.45 грн
500+353.59 грн
1000+321.64 грн
10000+279.92 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 infineonipb044n15n5dsv0200en.pdf
IPB044N15N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+400.83 грн
10+387.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 infineonipb044n15n5dsv0200en.pdf
IPB044N15N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+541.09 грн
10+374.14 грн
50+369.10 грн
100+279.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 infineonipb044n15n5dsv0200en.pdf
IPB044N15N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+542.02 грн
38+374.78 грн
50+369.73 грн
100+279.82 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 Infineon-IPB044N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f347501576ffd3e582757
IPB044N15N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 87A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 75 V
на замовлення 8490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+558.22 грн
10+364.29 грн
50+290.09 грн
100+249.85 грн
500+242.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 2371099.pdf
IPB044N15N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 infineonipb044n15n5dsv0200en.pdf
IPB044N15N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 Infineon_IPB044N15N5_DS_v02_00_EN.pdf
IPB044N15N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 8526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 2371099.pdf
IPB044N15N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.