Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB044N15N5ATMA1
IPB044N15N5ATMA1

IPB044N15N5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB044N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f347501576ffd3e582757 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 87A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 75 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+160.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB044N15N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 174A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPB044N15N5ATMA1 за ціною від 153.46 грн до 438.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB044N15N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipb044n15n5dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+181.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipb044n15n5dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+193.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipb044n15n5dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
135+231.11 грн
500+219.71 грн
1000+207.27 грн
10000+187.88 грн
Мінімальне замовлення: 135
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipb044n15n5dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 341000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+234.46 грн
170000+215.27 грн
255000+201.36 грн
340000+184.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 5infineon-ipb044n15n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462576f347501576f.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+237.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 Виробник : INFINEON 2371099.pdf Description: INFINEON - IPB044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+262.53 грн
200+214.21 грн
500+194.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipb044n15n5dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+359.82 грн
41+304.83 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipb044n15n5dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+359.82 грн
43+289.98 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipb044n15n5dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+400.53 грн
36+349.54 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB044N15N5_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 3766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+410.00 грн
10+266.48 грн
100+184.92 грн
500+181.85 грн
1000+153.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB044N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f347501576ffd3e582757 Description: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 87A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 75 V
на замовлення 4375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+416.67 грн
10+268.32 грн
100+192.97 грн
500+177.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipb044n15n5dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+429.14 грн
10+374.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 Виробник : INFINEON 2371099.pdf Description: INFINEON - IPB044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+438.12 грн
10+294.38 грн
50+262.53 грн
200+214.21 грн
500+194.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipb044n15n5dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipb044n15n5dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB044N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f347501576ffd3e582757 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 123A; Idm: 696A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 123A
Pulsed drain current: 696A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.