Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB048N15N5ATMA1
IPB048N15N5ATMA1

IPB048N15N5ATMA1 Infineon Technologies

1614095066899660infineon-ipb048n15n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f650570154a0.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+272.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB048N15N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB048N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.0037 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPB048N15N5ATMA1 за ціною від 213.74 грн до 575.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB048N15N5ATMA1 IPB048N15N5ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPB048N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a01efd885463 Description: INFINEON - IPB048N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.0037 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+495.37 грн
10+374.04 грн
50+356.47 грн
200+249.42 грн
500+213.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 IPB048N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1614095066899660infineon-ipb048n15n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f650570154a0.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+507.69 грн
10+397.72 грн
25+383.93 грн
100+294.86 грн
500+247.91 грн
1000+232.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 IPB048N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB048N15N5_DS_v02_01_EN-3362443.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+540.43 грн
10+404.03 грн
25+334.18 грн
100+255.11 грн
250+254.36 грн
500+234.22 грн
1000+231.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 IPB048N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1614095066899660infineon-ipb048n15n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f650570154a0.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+547.67 грн
29+429.04 грн
30+414.16 грн
100+318.09 грн
500+267.43 грн
1000+250.75 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 IPB048N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1614095066899660infineon-ipb048n15n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f650570154a0.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+567.69 грн
50+562.60 грн
100+541.52 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 IPB048N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB048N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a01efd885463 Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+575.32 грн
10+425.41 грн
100+314.36 грн
500+260.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 IPB048N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1614095066899660infineon-ipb048n15n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f650570154a0.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB048N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a01efd885463 IPB048N15N5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 IPB048N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB048N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a01efd885463 Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.