Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB048N15N5ATMA1
IPB048N15N5ATMA1

IPB048N15N5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB048N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a01efd885463
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+377.94 грн
10+242.82 грн
100+173.85 грн
500+147.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB048N15N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB048N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm.

Інші пропозиції IPB048N15N5ATMA1 за ціною від 287.55 грн до 652.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB048N15N5ATMA1 IPB048N15N5ATMA1 Infineon Technologies 1614095066899660infineon-ipb048n15n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f650570154a0.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+628.05 грн
10+492.01 грн
25+474.94 грн
100+364.76 грн
500+306.68 грн
1000+287.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 IPB048N15N5ATMA1 Infineon Technologies 1614095066899660infineon-ipb048n15n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f650570154a0.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+629.10 грн
29+492.84 грн
30+475.75 грн
100+365.39 грн
500+307.20 грн
1000+288.04 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 IPB048N15N5ATMA1 Infineon Technologies 1614095066899660infineon-ipb048n15n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f650570154a0.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+652.11 грн
50+646.25 грн
100+622.04 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 IPB048N15N5ATMA1 INFINEON 3971541.pdf Description: INFINEON - IPB048N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 3469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 IPB048N15N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB048N15N5_DS_v02_01_EN-3362443.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 IPB048N15N5ATMA1 Infineon Technologies 1614095066899660infineon-ipb048n15n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f650570154a0.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 IPB048N15N5ATMA1 INFINEON 3971541.pdf Description: INFINEON - IPB048N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 3469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 IPB048N15N5ATMA1 INFINEON 3971541.pdf Description: INFINEON - IPB048N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 1614095066899660infineon-ipb048n15n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f650570154a0.pdf
IPB048N15N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+628.05 грн
10+492.01 грн
25+474.94 грн
100+364.76 грн
500+306.68 грн
1000+287.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 1614095066899660infineon-ipb048n15n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f650570154a0.pdf
IPB048N15N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+629.10 грн
29+492.84 грн
30+475.75 грн
100+365.39 грн
500+307.20 грн
1000+288.04 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 1614095066899660infineon-ipb048n15n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f650570154a0.pdf
IPB048N15N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+652.11 грн
50+646.25 грн
100+622.04 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 3971541.pdf
IPB048N15N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB048N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 3469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 Infineon_IPB048N15N5_DS_v02_01_EN-3362443.pdf
IPB048N15N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 1614095066899660infineon-ipb048n15n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f650570154a0.pdf
IPB048N15N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 3971541.pdf
IPB048N15N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB048N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 3469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 3971541.pdf
IPB048N15N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB048N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.