IPB048N15N5ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 197.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB048N15N5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB048N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPB048N15N5ATMA1 за ціною від 176.94 грн до 592.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB048N15N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB048N15N5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB048N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB048N15N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V |
на замовлення 2176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB048N15N5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB048N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB048N15N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 834 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB048N15N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB048N15N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB048N15N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB048N15N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |