Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB048N15N5ATMA1
IPB048N15N5ATMA1

IPB048N15N5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB048N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a01efd885463
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+210.92 грн
3000+200.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB048N15N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB048N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm.

Інші пропозиції IPB048N15N5ATMA1 за ціною від 191.76 грн до 552.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB048N15N5ATMA1 IPB048N15N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipb048n15n5dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+219.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 IPB048N15N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipb048n15n5dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+219.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 IPB048N15N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB048N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a01efd885463 Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V
на замовлення 9628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+544.74 грн
10+354.14 грн
50+281.02 грн
100+241.65 грн
500+230.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 IPB048N15N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipb048n15n5dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+544.86 грн
40+361.95 грн
50+358.30 грн
100+254.88 грн
500+213.18 грн
1000+191.76 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 IPB048N15N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipb048n15n5dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+551.76 грн
10+490.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 IPB048N15N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipb048n15n5dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+552.41 грн
10+366.97 грн
50+363.26 грн
100+258.41 грн
500+216.13 грн
1000+194.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 IPB048N15N5ATMA1 Infineon Technologies infineonipb048n15n5dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+552.70 грн
29+491.33 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 IPB048N15N5ATMA1 INFINEON Infineon-IPB048N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a01efd885463 Description: INFINEON - IPB048N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 3353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 IPB048N15N5ATMA1 INFINEON Infineon-IPB048N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a01efd885463 Description: INFINEON - IPB048N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 2933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 IPB048N15N5ATMA1 INFINEON Infineon-IPB048N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a01efd885463 Description: INFINEON - IPB048N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 infineonipb048n15n5dsv0201en.pdf
IPB048N15N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+219.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 infineonipb048n15n5dsv0201en.pdf
IPB048N15N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+219.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 Infineon-IPB048N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a01efd885463
IPB048N15N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V
на замовлення 9628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+544.74 грн
10+354.14 грн
50+281.02 грн
100+241.65 грн
500+230.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 infineonipb048n15n5dsv0201en.pdf
IPB048N15N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
26+544.86 грн
40+361.95 грн
50+358.30 грн
100+254.88 грн
500+213.18 грн
1000+191.76 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 infineonipb048n15n5dsv0201en.pdf
IPB048N15N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+551.76 грн
10+490.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 infineonipb048n15n5dsv0201en.pdf
IPB048N15N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+552.41 грн
10+366.97 грн
50+363.26 грн
100+258.41 грн
500+216.13 грн
1000+194.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 infineonipb048n15n5dsv0201en.pdf
IPB048N15N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
26+552.70 грн
29+491.33 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 Infineon-IPB048N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a01efd885463
IPB048N15N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB048N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 3353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 Infineon-IPB048N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a01efd885463
IPB048N15N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB048N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 2933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 Infineon-IPB048N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a01efd885463
IPB048N15N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB048N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.