IPB048N15N5LFATMA1

IPB048N15N5LFATMA1 Infineon Technologies


infineon-ipb048n15n5lf-datasheet-v02_02-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+283.39 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB048N15N5LFATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB048N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 313W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPB048N15N5LFATMA1 за ціною від 214.17 грн до 720.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB048N15N5LFATMA1 IPB048N15N5LFATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB048N15N5LF-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b573da84a026c Description: MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 255µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 75 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+310.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 IPB048N15N5LFATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb048n15n5lf-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+314.20 грн
10+288.00 грн
25+285.13 грн
100+267.88 грн
250+241.49 грн
500+225.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 IPB048N15N5LFATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb048n15n5lf-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+317.51 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 IPB048N15N5LFATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb048n15n5lf-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+334.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 IPB048N15N5LFATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb048n15n5lf-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+342.51 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 IPB048N15N5LFATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb048n15n5lf-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 185000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+470.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 IPB048N15N5LFATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB048N15N5LF-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b573da84a026c Description: MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 255µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 75 V
на замовлення 1138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+489.42 грн
10+326.61 грн
100+298.56 грн
500+214.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 IPB048N15N5LFATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb048n15n5lf-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+584.63 грн
50+571.41 грн
100+550.03 грн
200+508.38 грн
500+435.75 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 IPB048N15N5LFATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB048N15N5LF_DataSheet_v02_02_EN-3362444.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+702.94 грн
10+486.47 грн
100+319.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 IPB048N15N5LFATMA1 Виробник : INFINEON 2718765.pdf Description: INFINEON - IPB048N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+720.47 грн
5+610.71 грн
10+500.12 грн
50+406.92 грн
100+321.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 Виробник : Infineon Infineon-IPB048N15N5LF-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b573da84a026c
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.