Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB048N15N5LFATMA1
IPB048N15N5LFATMA1

IPB048N15N5LFATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipb048n15n5lf-datasheet-cn.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 255µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 75 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+262.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB048N15N5LFATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB048N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V, Verlustleistung: 313W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm.

Інші пропозиції IPB048N15N5LFATMA1 за ціною від 275.52 грн до 717.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB048N15N5LFATMA1 IPB048N15N5LFATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb048n15n5lf-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+479.89 грн
100+455.53 грн
500+432.39 грн
1000+393.46 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 IPB048N15N5LFATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb048n15n5lf-datasheet-cn.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 255µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 75 V
на замовлення 4202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+641.36 грн
10+421.49 грн
50+337.45 грн
100+291.35 грн
500+290.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 IPB048N15N5LFATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb048n15n5lf-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+686.56 грн
10+467.81 грн
25+463.13 грн
100+382.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 IPB048N15N5LFATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb048n15n5lf-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+686.56 грн
32+463.13 грн
100+382.61 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 IPB048N15N5LFATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb048n15n5lf-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+687.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 IPB048N15N5LFATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb048n15n5lf-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+687.22 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 IPB048N15N5LFATMA1 Infineon Technologies infineon_ipb048n15n5lf_datasheet_en.pdf MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 15150 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+717.33 грн
10+497.29 грн
100+349.85 грн
500+311.56 грн
1000+275.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 IPB048N15N5LFATMA1 INFINEON 2718765.pdf Description: INFINEON - IPB048N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 IPB048N15N5LFATMA1 INFINEON 2718765.pdf Description: INFINEON - IPB048N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 infineon-ipb048n15n5lf-datasheet-v02_02-en.pdf
IPB048N15N5LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
77+479.89 грн
100+455.53 грн
500+432.39 грн
1000+393.46 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 infineon-ipb048n15n5lf-datasheet-cn.pdf
IPB048N15N5LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 255µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 75 V
на замовлення 4202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+641.36 грн
10+421.49 грн
50+337.45 грн
100+291.35 грн
500+290.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 infineon-ipb048n15n5lf-datasheet-v02_02-en.pdf
IPB048N15N5LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+686.56 грн
10+467.81 грн
25+463.13 грн
100+382.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 infineon-ipb048n15n5lf-datasheet-v02_02-en.pdf
IPB048N15N5LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+686.56 грн
32+463.13 грн
100+382.61 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 infineon-ipb048n15n5lf-datasheet-v02_02-en.pdf
IPB048N15N5LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+687.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 infineon-ipb048n15n5lf-datasheet-v02_02-en.pdf
IPB048N15N5LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+687.22 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 infineon_ipb048n15n5lf_datasheet_en.pdf
IPB048N15N5LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 15150 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+717.33 грн
10+497.29 грн
100+349.85 грн
500+311.56 грн
1000+275.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 2718765.pdf
IPB048N15N5LFATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB048N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 2718765.pdf
IPB048N15N5LFATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB048N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.