IPB048N15N5LFATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 44+ | 322.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB048N15N5LFATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB048N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 313W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPB048N15N5LFATMA1 за ціною від 192.45 грн до 665.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPB048N15N5LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB048N15N5LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB048N15N5LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPB048N15N5LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 255µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 75 V |
на замовлення 860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPB048N15N5LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >100-150V |
на замовлення 8024 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPB048N15N5LFATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB048N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB048N15N5LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 185000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB048N15N5LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IPB048N15N5LFATMA1 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| IPB048N15N5LFATMA1 | Виробник : Infineon |
MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
IPB048N15N5LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 255µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 75 V |
товару немає в наявності |