Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB048N15N5LFATMA1
IPB048N15N5LFATMA1

IPB048N15N5LFATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB048N15N5LF-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b573da84a026c
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 255µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 75 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+252.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB048N15N5LFATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB048N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V, Verlustleistung: 313W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm.

Інші пропозиції IPB048N15N5LFATMA1 за ціною від 268.40 грн до 698.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB048N15N5LFATMA1 IPB048N15N5LFATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb048n15n5lf-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+323.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 IPB048N15N5LFATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb048n15n5lf-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+328.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 IPB048N15N5LFATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb048n15n5lf-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+422.39 грн
100+401.04 грн
500+379.68 грн
1000+346.67 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 IPB048N15N5LFATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb048n15n5lf-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+422.39 грн
100+401.04 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 IPB048N15N5LFATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb048n15n5lf-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 155000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+527.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 IPB048N15N5LFATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB048N15N5LF-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b573da84a026c Description: MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 255µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 75 V
на замовлення 4539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+618.60 грн
10+406.06 грн
50+325.15 грн
100+280.71 грн
500+279.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 IPB048N15N5LFATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb048n15n5lf-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+667.38 грн
10+455.14 грн
25+435.30 грн
100+379.30 грн
250+313.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 IPB048N15N5LFATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb048n15n5lf-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+667.38 грн
32+455.14 грн
33+435.30 грн
100+379.30 грн
250+313.74 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 IPB048N15N5LFATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb048n15n5lf-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+667.58 грн
10+465.06 грн
50+445.64 грн
100+423.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 IPB048N15N5LFATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb048n15n5lf-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+668.73 грн
31+465.87 грн
50+446.41 грн
100+424.15 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 IPB048N15N5LFATMA1 Infineon Technologies infineon_ipb048n15n5lf_datasheet_en.pdf MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 15211 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+698.78 грн
10+484.43 грн
100+340.80 грн
500+303.50 грн
1000+268.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 IPB048N15N5LFATMA1 INFINEON 2718765.pdf Description: INFINEON - IPB048N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 1212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 IPB048N15N5LFATMA1 INFINEON 2718765.pdf Description: INFINEON - IPB048N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 1212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 infineon-ipb048n15n5lf-datasheet-v02_02-en.pdf
IPB048N15N5LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+323.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 infineon-ipb048n15n5lf-datasheet-v02_02-en.pdf
IPB048N15N5LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+328.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 infineon-ipb048n15n5lf-datasheet-v02_02-en.pdf
IPB048N15N5LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
85+422.39 грн
100+401.04 грн
500+379.68 грн
1000+346.67 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 infineon-ipb048n15n5lf-datasheet-v02_02-en.pdf
IPB048N15N5LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
85+422.39 грн
100+401.04 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 infineon-ipb048n15n5lf-datasheet-v02_02-en.pdf
IPB048N15N5LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 155000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+527.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 Infineon-IPB048N15N5LF-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b573da84a026c
IPB048N15N5LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 255µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 75 V
на замовлення 4539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+618.60 грн
10+406.06 грн
50+325.15 грн
100+280.71 грн
500+279.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 infineon-ipb048n15n5lf-datasheet-v02_02-en.pdf
IPB048N15N5LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+667.38 грн
10+455.14 грн
25+435.30 грн
100+379.30 грн
250+313.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 infineon-ipb048n15n5lf-datasheet-v02_02-en.pdf
IPB048N15N5LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+667.38 грн
32+455.14 грн
33+435.30 грн
100+379.30 грн
250+313.74 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 infineon-ipb048n15n5lf-datasheet-v02_02-en.pdf
IPB048N15N5LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+667.58 грн
10+465.06 грн
50+445.64 грн
100+423.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 infineon-ipb048n15n5lf-datasheet-v02_02-en.pdf
IPB048N15N5LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+668.73 грн
31+465.87 грн
50+446.41 грн
100+424.15 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 infineon_ipb048n15n5lf_datasheet_en.pdf
IPB048N15N5LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 15211 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+698.78 грн
10+484.43 грн
100+340.80 грн
500+303.50 грн
1000+268.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 2718765.pdf
IPB048N15N5LFATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB048N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 1212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1 2718765.pdf
IPB048N15N5LFATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB048N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 1212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.