Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB049N08N5ATMA1
IPB049N08N5ATMA1

IPB049N08N5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon_IPB049N08N5_DS_v02_00_EN-1731627.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 80A D2PAK-2
на замовлення 1246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.57 грн
10+146.04 грн
100+96.51 грн
250+84.18 грн
500+79.82 грн
1000+71.70 грн
2000+69.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB049N08N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 66µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 40 V.

Інші пропозиції IPB049N08N5ATMA1 за ціною від 75.13 грн до 228.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB049N08N5ATMA1 IPB049N08N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies INFN-S-A0000250420-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 66µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 40 V
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.43 грн
10+142.64 грн
100+98.80 грн
500+75.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049N08N5ATMA1 IPB049N08N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb049n08n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624a75e5f1014ace.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049N08N5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0000250420-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IPB049N08N5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049N08N5ATMA1 IPB049N08N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies INFN-S-A0000250420-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 66µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.