IPB049NE7N3GATMA1 Infineon Technologies


IPB049NE7N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320d39d590121a517a48e0bb9
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+84.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB049NE7N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції IPB049NE7N3GATMA1 за ціною від 80.13 грн до 269.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB049NE7N3GATMA1 IPB049NE7N3GATMA1 Infineon Technologies IPB049NE7N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320d39d590121a517a48e0bb9 Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.57 грн
10+141.42 грн
100+102.54 грн
500+80.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049NE7N3GATMA1 IPB049NE7N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB049NE7N3-DS-v02_02-en-1226914.pdf MOSFET N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+269.81 грн
10+239.76 грн
100+167.75 грн
500+138.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049NE7N3GATMA1 IPB049NE7N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320d39d590121a517a48e0bb9
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+213.57 грн
10+141.42 грн
100+102.54 грн
500+80.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049NE7N3GATMA1 Infineon-IPB049NE7N3-DS-v02_02-en-1226914.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+269.81 грн
10+239.76 грн
100+167.75 грн
500+138.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.