IPB049NE7N3GATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 187+ | 189.76 грн |
| 500+ | 170.90 грн |
| 1000+ | 157.94 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
187 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB049NE7N3GATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V.
Інші пропозиції IPB049NE7N3GATMA1 за ціною від 117.02 грн до 265.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPB049NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IPB049NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V |
на замовлення 349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IPB049NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3 |
на замовлення 564 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPB049NE7N3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 187+ | 189.76 грн |
| 500+ | 170.90 грн |
| 1000+ | 157.94 грн |
| IPB049NE7N3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V
Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 265.71 грн |
| 10+ | 167.41 грн |
| 100+ | 117.02 грн |
| IPB049NE7N3GATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3
MOSFET N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)