Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB049NE7N3GATMA1
IPB049NE7N3GATMA1

IPB049NE7N3GATMA1 Infineon Technologies

IPB049NE7N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320d39d590121a517a48e0bb9 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+87.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB049NE7N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V.

Інші пропозиції IPB049NE7N3GATMA1 за ціною від 82.85 грн до 290.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB049NE7N3GATMA1 IPB049NE7N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPB049NE7N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320d39d590121a517a48e0bb9 Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.83 грн
10+146.23 грн
100+106.02 грн
500+82.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049NE7N3GATMA1 IPB049NE7N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB049NE7N3-DS-v02_02-en-1226914.pdf MOSFET N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+290.13 грн
10+257.82 грн
100+180.39 грн
500+148.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049NE7N3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB049NE7N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320d39d590121a517a48e0bb9 IPB049NE7N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.