IPB051N15NM6ATMA1 Infineon Technologies


DS_IPB051N15NM6_en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+96.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB051N15NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB051N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 139 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 139A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 234W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm.

Інші пропозиції IPB051N15NM6ATMA1 за ціною від 95.15 грн до 277.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB051N15NM6ATMA1 IPB051N15NM6ATMA1 Infineon Technologies infineonipb051n15nm6datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 116000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+155.09 грн
58000+141.72 грн
87000+131.86 грн
116000+119.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB051N15NM6ATMA1 IPB051N15NM6ATMA1 Infineon Technologies DS_IPB051N15NM6_en.pdf Description: TRENCH >=100V
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.47 грн
10+174.88 грн
50+135.30 грн
100+115.01 грн
500+95.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB051N15NM6ATMA1 IPB051N15NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB051N15NM6_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB051N15NM6ATMA1 IPB051N15NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPB051N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f433f3047bab Description: INFINEON - IPB051N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 139 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 234W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB051N15NM6ATMA1 IPB051N15NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPB051N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f433f3047bab Description: INFINEON - IPB051N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 139 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB051N15NM6ATMA1 infineonipb051n15nm6datasheetv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 116000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+155.09 грн
58000+141.72 грн
87000+131.86 грн
116000+119.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB051N15NM6ATMA1 DS_IPB051N15NM6_en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+277.47 грн
10+174.88 грн
50+135.30 грн
100+115.01 грн
500+95.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB051N15NM6ATMA1 Infineon_IPB051N15NM6_DataSheet_v01_00_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB051N15NM6ATMA1 Infineon-IPB051N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f433f3047bab
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB051N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 139 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 234W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB051N15NM6ATMA1 Infineon-IPB051N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f433f3047bab
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB051N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 139 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.