Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB054N06N3GATMA1
IPB054N06N3GATMA1

IPB054N06N3GATMA1 Infineon Technologies

ipp_b057n06n3_rev2.0.pdffolderiddb3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77fileiddb3a30431ddc9372011e2b439.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
292+121.13 грн
500+109.02 грн
1000+100.53 грн
10000+86.44 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB054N06N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB054N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 115W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPB054N06N3GATMA1 за ціною від 86.44 грн до 121.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB054N06N3GATMA1 IPB054N06N3GATMA1 Infineon Technologies ipp_b057n06n3_rev2.0.pdffolderiddb3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77fileiddb3a30431ddc9372011e2b439.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+121.13 грн
500+109.02 грн
1000+100.53 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N06N3GATMA1 IPB054N06N3GATMA1 Infineon Technologies ipp_b057n06n3_rev2.0.pdffolderiddb3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77fileiddb3a30431ddc9372011e2b439.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 42565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+121.13 грн
500+109.02 грн
1000+100.53 грн
10000+86.44 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N06N3GATMA1 IPB054N06N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_B057N06N3_DS_v02_02_en.pdf MOSFETs N-Ch 60V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N06N3GATMA1 IPB054N06N3GATMA1 INFINEON IPP_B057N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2b439f1d4d93 Description: INFINEON - IPB054N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N06N3GATMA1 IPB054N06N3GATMA1 INFINEON IPP_B057N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2b439f1d4d93 Description: INFINEON - IPB054N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N06N3GATMA1 ipp_b057n06n3_rev2.0.pdffolderiddb3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77fileiddb3a30431ddc9372011e2b439.pdf
IPB054N06N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
292+121.13 грн
500+109.02 грн
1000+100.53 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N06N3GATMA1 ipp_b057n06n3_rev2.0.pdffolderiddb3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77fileiddb3a30431ddc9372011e2b439.pdf
IPB054N06N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 42565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
292+121.13 грн
500+109.02 грн
1000+100.53 грн
10000+86.44 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N06N3GATMA1 Infineon_B057N06N3_DS_v02_02_en.pdf
IPB054N06N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N06N3GATMA1 IPP_B057N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2b439f1d4d93
IPB054N06N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB054N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N06N3GATMA1 IPP_B057N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2b439f1d4d93
IPB054N06N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB054N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.