IPB055N08NF2SATMA1 Infineon Technologies

---

Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N

на замовлення 606 шт:

---

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	160.86 грн
10+	120.17 грн
100+	74.74 грн
500+	73.29 грн
800+	52.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

купити

В кошику  од. на суму  грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPB055N08NF2SATMA1 Infineon Technologies

Інші пропозиції IPB055N08NF2SATMA1 за ціною від 43.85 грн до 163.27 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна
	IPB055N08NF2SATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V	на замовлення 367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна 2+ 163.27 грн 10+ 104.92 грн 100+ 71.62 грн Мінімальне замовлення: 2 купити В кошику  од. на суму  грн.
	IPB055N08NF2SATMA1	Виробник : Infineon Technologies	SP005571702	на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна 800+ 43.85 грн Мінімальне замовлення: 800 купити В кошику  од. на суму  грн.
	IPB055N08NF2SATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V	товару немає в наявності	купити В кошику  од. на суму  грн.