Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB055N08NF2SATMA1
IPB055N08NF2SATMA1

IPB055N08NF2SATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB055N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4dc1a741b1e
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+52.25 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB055N08NF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB055N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 94 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 94A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 107W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StronglRFET Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm.

Інші пропозиції IPB055N08NF2SATMA1 за ціною від 60.57 грн до 214.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB055N08NF2SATMA1 IPB055N08NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb055n08nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+61.36 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N08NF2SATMA1 IPB055N08NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb055n08nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+62.22 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N08NF2SATMA1 IPB055N08NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb055n08nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+63.87 грн
2400+60.57 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N08NF2SATMA1 IPB055N08NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb055n08nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+63.87 грн
2400+60.57 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N08NF2SATMA1 IPB055N08NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb055n08nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
405+87.17 грн
500+78.46 грн
1000+72.36 грн
10000+62.22 грн
Мінімальне замовлення: 405 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N08NF2SATMA1 IPB055N08NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb055n08nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.09 грн
50+108.88 грн
100+91.97 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N08NF2SATMA1 IPB055N08NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB055N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4dc1a741b1e Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.40 грн
10+99.27 грн
50+75.00 грн
100+63.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N08NF2SATMA1 IPB055N08NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb055n08nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+190.34 грн
109+130.09 грн
138+102.52 грн
161+84.92 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N08NF2SATMA1 IPB055N08NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipb055n08nf2sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+214.82 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N08NF2SATMA1 IPB055N08NF2SATMA1 INFINEON 3812009.pdf Description: INFINEON - IPB055N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 94 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N08NF2SATMA1 IPB055N08NF2SATMA1 INFINEON 3812009.pdf Description: INFINEON - IPB055N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 94 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N08NF2SATMA1 infineonipb055n08nf2sdatasheetv0200en.pdf
IPB055N08NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+61.36 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N08NF2SATMA1 infineonipb055n08nf2sdatasheetv0200en.pdf
IPB055N08NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+62.22 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N08NF2SATMA1 infineonipb055n08nf2sdatasheetv0200en.pdf
IPB055N08NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+63.87 грн
2400+60.57 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N08NF2SATMA1 infineonipb055n08nf2sdatasheetv0200en.pdf
IPB055N08NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+63.87 грн
2400+60.57 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N08NF2SATMA1 infineonipb055n08nf2sdatasheetv0200en.pdf
IPB055N08NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
405+87.17 грн
500+78.46 грн
1000+72.36 грн
10000+62.22 грн
Мінімальне замовлення: 405 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N08NF2SATMA1 infineonipb055n08nf2sdatasheetv0200en.pdf
IPB055N08NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+144.09 грн
50+108.88 грн
100+91.97 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N08NF2SATMA1 Infineon-IPB055N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4dc1a741b1e
IPB055N08NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+161.40 грн
10+99.27 грн
50+75.00 грн
100+63.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N08NF2SATMA1 infineonipb055n08nf2sdatasheetv0200en.pdf
IPB055N08NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
75+190.34 грн
109+130.09 грн
138+102.52 грн
161+84.92 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N08NF2SATMA1 infineonipb055n08nf2sdatasheetv0200en.pdf
IPB055N08NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+214.82 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N08NF2SATMA1 3812009.pdf
IPB055N08NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB055N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 94 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N08NF2SATMA1 3812009.pdf
IPB055N08NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB055N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 94 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.