Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB057N06NATMA1
IPB057N06NATMA1

IPB057N06NATMA1 Infineon Technologies

Infineon_IPB057N06N_DS_v02_02_en-1731607.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 60V 45A D2PAK-2
на замовлення 2068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.22 грн
10+98.47 грн
100+68.14 грн
250+65.16 грн
500+57.04 грн
1000+49.85 грн
2000+47.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB057N06NATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/45A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 45A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 45A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V.

Інші пропозиції IPB057N06NATMA1 за ціною від 68.18 грн до 162.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB057N06NATMA1 IPB057N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPB057N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433727a44301372c2ed50b49b3 Description: MOSFET N-CH 60V 17A/45A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+162.49 грн
10+100.31 грн
100+68.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NATMA1 IPB057N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb057n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NATMA1 IPB057N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb057n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB057N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433727a44301372c2ed50b49b3 IPB057N06NATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NATMA1 IPB057N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPB057N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433727a44301372c2ed50b49b3 Description: MOSFET N-CH 60V 17A/45A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.