Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB057N06NATMA1
IPB057N06NATMA1

IPB057N06NATMA1 Infineon Technologies

IPB057N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433727a44301372c2ed50b49b3
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 17A/45A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+62.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB057N06NATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB057N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 5700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 83W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm.

Інші пропозиції IPB057N06NATMA1 за ціною від 54.90 грн до 191.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB057N06NATMA1 IPB057N06NATMA1 Infineon Technologies ipb057n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+63.65 грн
3000+63.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NATMA1 IPB057N06NATMA1 Infineon Technologies ipb057n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+63.65 грн
3000+63.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NATMA1 IPB057N06NATMA1 Infineon Technologies ipb057n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.82 грн
50+129.30 грн
100+116.24 грн
500+89.99 грн
1000+76.75 грн
3000+65.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NATMA1 IPB057N06NATMA1 Infineon Technologies ipb057n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+182.77 грн
111+128.09 грн
141+100.52 грн
155+88.19 грн
500+66.38 грн
1000+55.46 грн
3000+54.90 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NATMA1 IPB057N06NATMA1 Infineon Technologies IPB057N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433727a44301372c2ed50b49b3 Description: MOSFET N-CH 60V 17A/45A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 2713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.31 грн
10+118.32 грн
50+90.11 грн
100+76.02 грн
500+61.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NATMA1 IPB057N06NATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB057N06N_DS_v02_02_en.pdf MOSFETs N-Ch 60V 45A D2PAK-2
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NATMA1 IPB057N06NATMA1 INFINEON INFNS19698-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB057N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 5700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NATMA1 IPB057N06NATMA1 INFINEON INFNS19698-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB057N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 5700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NATMA1 ipb057n06n_rev2.2.pdf
IPB057N06NATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+63.65 грн
3000+63.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NATMA1 ipb057n06n_rev2.2.pdf
IPB057N06NATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+63.65 грн
3000+63.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NATMA1 ipb057n06n_rev2.2.pdf
IPB057N06NATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+169.82 грн
50+129.30 грн
100+116.24 грн
500+89.99 грн
1000+76.75 грн
3000+65.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NATMA1 ipb057n06n_rev2.2.pdf
IPB057N06NATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
78+182.77 грн
111+128.09 грн
141+100.52 грн
155+88.19 грн
500+66.38 грн
1000+55.46 грн
3000+54.90 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NATMA1 IPB057N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433727a44301372c2ed50b49b3
IPB057N06NATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 17A/45A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 2713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+191.31 грн
10+118.32 грн
50+90.11 грн
100+76.02 грн
500+61.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NATMA1 Infineon_IPB057N06N_DS_v02_02_en.pdf
IPB057N06NATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 45A D2PAK-2
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NATMA1 INFNS19698-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB057N06NATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB057N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 5700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NATMA1 INFNS19698-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB057N06NATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB057N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 5700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.