Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB05N03LA
IPB05N03LA

IPB05N03LA Infineon Technologies

IPB05N03LA_Rev1.7_G.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
507+39.34 грн
Мінімальне замовлення: 507
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB05N03LA Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 55A, 10V, Power Dissipation (Max): 94W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V.

Інші пропозиції IPB05N03LA

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPB05N03LA Виробник : INF IPB05N03LA_Rev1.7_G.pdf 07+;
на замовлення 3019 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPB05N03LA Виробник : infineon IPB05N03LA_Rev1.7_G.pdf 04+ D2PAK
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPB05N03LA Виробник : infineon IPB05N03LA_Rev1.7_G.pdf to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPB05N03LA IPB05N03LA Виробник : Infineon Technologies IPB05N03LA_Rev1.7_G.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V
товар відсутній