IPB05N03LA Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 507+ | 44.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB05N03LA Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 55A, 10V, Power Dissipation (Max): 94W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V.
Інші пропозиції IPB05N03LA
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB05N03LA | Виробник : INF |
07+; |
на замовлення 3019 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| IPB05N03LA | Виробник : infineon |
04+ D2PAK |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| IPB05N03LA | Виробник : infineon |
to-263/d2-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
|
|
IPB05N03LA | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |