Продукція > INFINEON > IPB060N15N5ATMA1
IPB060N15N5ATMA1

IPB060N15N5ATMA1 INFINEON

Infineon-IPB060N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b5ca333d3364d Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB060N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 136 A, 0.0048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+164.66 грн
500+134.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB060N15N5ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPB060N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 136 A, 0.0048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 136A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPB060N15N5ATMA1 за ціною від 134.55 грн до 446.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB060N15N5ATMA1 IPB060N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB060N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b5ca333d3364d Description: MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+191.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB060N15N5ATMA1 IPB060N15N5ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPB060N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b5ca333d3364d Description: INFINEON - IPB060N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 136 A, 0.0048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+318.62 грн
10+228.05 грн
100+164.66 грн
500+134.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB060N15N5ATMA1 IPB060N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB060N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b5ca333d3364d Description: MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V
на замовлення 2524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+370.75 грн
10+250.45 грн
100+192.22 грн
500+168.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB060N15N5ATMA1 IPB060N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB060N15N5_DS_v02_00_EN-1131257.pdf MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 1307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+446.09 грн
10+309.75 грн
100+201.82 грн
500+193.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB060N15N5ATMA1 IPB060N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 102infineon-ipb060n15n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625b3ca4ec015b5c.pdf OptiMOS 5 Power-Transistor, 150V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.