Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB065N03LGATMA1

IPB065N03LGATMA1 Infineon Technologies

Name: IPB065N03LGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 70804462-3
Price: 10998.99 UAH
Availability: InStock

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

на замовлення 333 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
333+	33.03 грн

Мінімальне замовлення: 333

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPB065N03LGATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 56W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V.

Інші пропозиції IPB065N03LGATMA1

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IPB065N03LGATMA1	Виробник : Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 30V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3	на замовлення 182 шт: термін постачання 21-30 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
IPB065N03LGATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IPB065N03LGATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.