Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB065N15N3GATMA1
IPB065N15N3GATMA1

IPB065N15N3GATMA1 Infineon Technologies

ipb065n15n3g_rev2.1.pdffolderiddb3a304326623792012669f6bee2224bfileiddb3a30432662379201266a037.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+252.98 грн
10+237.15 грн
25+234.81 грн
100+222.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB065N15N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB065N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPB065N15N3GATMA1 за ціною від 222.17 грн до 412.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB065N15N3GATMA1 IPB065N15N3GATMA1 Infineon Technologies ipb065n15n3g_rev2.1.pdffolderiddb3a304326623792012669f6bee2224bfileiddb3a30432662379201266a037.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+252.98 грн
60+234.81 грн
100+222.17 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N15N3GATMA1 IPB065N15N3GATMA1 Infineon Technologies ipb065n15n3g_rev2.1.pdffolderiddb3a304326623792012669f6bee2224bfileiddb3a30432662379201266a037.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+275.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N15N3GATMA1 IPB065N15N3GATMA1 Infineon Technologies ipb065n15n3g_rev2.1.pdffolderiddb3a304326623792012669f6bee2224bfileiddb3a30432662379201266a037.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+275.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N15N3GATMA1 IPB065N15N3GATMA1 Infineon Technologies ipb065n15n3g_rev2.1.pdffolderiddb3a304326623792012669f6bee2224bfileiddb3a30432662379201266a037.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+412.10 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N15N3GATMA1 IPB065N15N3GATMA1 INFINEON INFNS15806-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB065N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N15N3GATMA1 IPB065N15N3GATMA1 INFINEON INFNS15806-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB065N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N15N3GATMA1 ipb065n15n3g_rev2.1.pdffolderiddb3a304326623792012669f6bee2224bfileiddb3a30432662379201266a037.pdf
IPB065N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
56+252.98 грн
60+234.81 грн
100+222.17 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N15N3GATMA1 ipb065n15n3g_rev2.1.pdffolderiddb3a304326623792012669f6bee2224bfileiddb3a30432662379201266a037.pdf
IPB065N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+275.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N15N3GATMA1 ipb065n15n3g_rev2.1.pdffolderiddb3a304326623792012669f6bee2224bfileiddb3a30432662379201266a037.pdf
IPB065N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+275.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N15N3GATMA1 ipb065n15n3g_rev2.1.pdffolderiddb3a304326623792012669f6bee2224bfileiddb3a30432662379201266a037.pdf
IPB065N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
35+412.10 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N15N3GATMA1 INFNS15806-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB065N15N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB065N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N15N3GATMA1 INFNS15806-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB065N15N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB065N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.