Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB065N15N3GATMA1
IPB065N15N3GATMA1

IPB065N15N3GATMA1 Infineon Technologies

IPB065N15N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30432662379201266a0379d1225c Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 75 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+193.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB065N15N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB065N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 0.0052 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPB065N15N3GATMA1 за ціною від 178.74 грн до 384.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB065N15N3GATMA1 IPB065N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb065n15n3g_rev2.1.pdffolderiddb3a304326623792012669f6bee2224bfileiddb3a30432662379201266a037.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+203.51 грн
10+190.78 грн
25+188.90 грн
100+178.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N15N3GATMA1 IPB065N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb065n15n3g_rev2.1.pdffolderiddb3a304326623792012669f6bee2224bfileiddb3a30432662379201266a037.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+219.17 грн
60+203.43 грн
100+192.49 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N15N3GATMA1 IPB065N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb065n15n3g_rev2.1.pdffolderiddb3a304326623792012669f6bee2224bfileiddb3a30432662379201266a037.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+221.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N15N3GATMA1 IPB065N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb065n15n3g_rev2.1.pdffolderiddb3a304326623792012669f6bee2224bfileiddb3a30432662379201266a037.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+238.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N15N3GATMA1 IPB065N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb065n15n3g_rev2.1.pdffolderiddb3a304326623792012669f6bee2224bfileiddb3a30432662379201266a037.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+357.03 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N15N3GATMA1 IPB065N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB065N15N3G_DS_v02_01_en-1731683.pdf MOSFETs N-Ch 150V 130A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+358.76 грн
10+289.49 грн
25+251.00 грн
100+209.16 грн
500+200.36 грн
1000+191.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N15N3GATMA1 IPB065N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPB065N15N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30432662379201266a0379d1225c Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 75 V
на замовлення 4751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+365.98 грн
10+276.90 грн
100+228.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N15N3GATMA1 IPB065N15N3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS15806-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB065N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 0.0052 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+384.48 грн
10+301.33 грн
100+228.05 грн
500+211.00 грн
1000+194.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N15N3GATMA1 IPB065N15N3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS15806-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB065N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 0.0052 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+384.48 грн
100+330.14 грн
500+272.16 грн
1000+214.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N15N3GATMA1 IPB065N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb065n15n3g_rev2.1.pdffolderiddb3a304326623792012669f6bee2224bfileiddb3a30432662379201266a037.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 130A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N15N3GATMA1 IPB065N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipb065n15n3g_rev2.1.pdffolderiddb3a304326623792012669f6bee2224bfileiddb3a30432662379201266a037.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 130A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N15N3GATMA1 IPB065N15N3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBD43E35CE411C&compId=IPB065N15N3G-DTE.pdf?ci_sign=bab39003ca39c7c61880785944b70ac8bbebe7f0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 300W; PG-TO263-3
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-3
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N15N3GATMA1 IPB065N15N3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBD43E35CE411C&compId=IPB065N15N3G-DTE.pdf?ci_sign=bab39003ca39c7c61880785944b70ac8bbebe7f0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 300W; PG-TO263-3
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.