IPB067N08N3GATMA1

IPB067N08N3GATMA1 Infineon Technologies


1225360564494010infineon-ipb067n08n3g-ds-v02_03-en.pdffileid5546d4624fb7fef2014ff.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+71.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB067N08N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 73A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V.

Інші пропозиції IPB067N08N3GATMA1 за ціною від 81.47 грн до 216.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB067N08N3GATMA1 IPB067N08N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies %28IPP%2CIPI%2CIPB%290x0N08N3_G.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+88.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB067N08N3GATMA1 IPB067N08N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies %28IPP%2CIPI%2CIPB%290x0N08N3_G.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V
на замовлення 5287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+216.25 грн
10+143.51 грн
100+104.14 грн
500+81.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB067N08N3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES %28IPP%2CIPI%2CIPB%290x0N08N3_G.pdf IPB067N08N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.