IPB067N08N3GATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 70.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB067N08N3GATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 73A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V.
Інші пропозиції IPB067N08N3GATMA1 за ціною від 80.35 грн до 213.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB067N08N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 73A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPB067N08N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 73A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V |
на замовлення 5287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| IPB067N08N3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPB067N08N3GATMA1 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |