Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB068N20NM6ATMA1
IPB068N20NM6ATMA1

IPB068N20NM6ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB068N20NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d3266c0ee0c77
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 134A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 258µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+234.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB068N20NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB068N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 134 A, 6300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 134A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPB068N20NM6ATMA1 за ціною від 259.41 грн до 726.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPB068N20NM6ATMA1 IPB068N20NM6ATMA1 INFINEON 4148563.pdf Description: INFINEON - IPB068N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 134 A, 6300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 134A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+499.13 грн
50+409.27 грн
100+327.04 грн
250+320.70 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB068N20NM6ATMA1 IPB068N20NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB068N20NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d3266c0ee0c77 Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 134A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 258µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 100 V
на замовлення 2659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+585.18 грн
10+383.23 грн
100+281.18 грн
500+259.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB068N20NM6ATMA1 IPB068N20NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB068N20NM6_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET >150 - 400V
на замовлення 2856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+651.26 грн
10+438.51 грн
100+314.35 грн
500+279.82 грн
1000+262.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB068N20NM6ATMA1 IPB068N20NM6ATMA1 INFINEON 4148563.pdf Description: INFINEON - IPB068N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 134 A, 6300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 134A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+726.09 грн
5+612.61 грн
10+499.13 грн
50+409.27 грн
100+327.04 грн
250+320.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB068N20NM6ATMA1 4148563.pdf
IPB068N20NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB068N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 134 A, 6300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 134A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+499.13 грн
50+409.27 грн
100+327.04 грн
250+320.70 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB068N20NM6ATMA1 Infineon-IPB068N20NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d3266c0ee0c77
IPB068N20NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 134A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 258µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 100 V
на замовлення 2659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+585.18 грн
10+383.23 грн
100+281.18 грн
500+259.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB068N20NM6ATMA1 Infineon_IPB068N20NM6_DataSheet_v02_00_EN.pdf
IPB068N20NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >150 - 400V
на замовлення 2856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+651.26 грн
10+438.51 грн
100+314.35 грн
500+279.82 грн
1000+262.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB068N20NM6ATMA1 4148563.pdf
IPB068N20NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB068N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 134 A, 6300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 134A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+726.09 грн
5+612.61 грн
10+499.13 грн
50+409.27 грн
100+327.04 грн
250+320.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.