Продукція > INF > IPB06N03LB G

IPB06N03LB G INF


IPB06N03LB_Rev0.93_G.pdf Виробник: INF
TO-263
на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB06N03LB G INF

Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 15 V.

Інші пропозиції IPB06N03LB G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPB06N03LB G IPB06N03LB G Виробник : Infineon Technologies IPB06N03LB_Rev0.93_G.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 15 V
товар відсутній
IPB06N03LBG IPB06N03LBG Виробник : Infineon Technologies MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V
товар відсутній