Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB072N15N3GATMA1
IPB072N15N3GATMA1

IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies

ipp075n15n3g_rev2.061.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+108.60 грн
2000+107.51 грн
3000+106.44 грн
5000+101.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB072N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 7200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm.

Інші пропозиції IPB072N15N3GATMA1 за ціною від 101.15 грн до 393.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 178000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+112.00 грн
2000+110.87 грн
5000+109.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+126.48 грн
2000+125.21 грн
5000+123.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 79000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+134.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies IPP075N15N3+G_Rev2.03.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a304319c6f18c0119cd76cc527ab6 Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+142.83 грн
2000+129.17 грн
3000+124.91 грн
5000+112.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+154.54 грн
500+146.34 грн
1000+138.15 грн
10000+125.31 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+154.54 грн
500+146.34 грн
1000+138.15 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 79000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+179.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+198.56 грн
10+165.40 грн
25+158.29 грн
100+136.38 грн
250+124.94 грн
500+101.15 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+198.56 грн
85+165.40 грн
89+158.29 грн
100+136.38 грн
250+124.94 грн
500+101.15 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+202.46 грн
2000+190.14 грн
3000+183.86 грн
5000+170.51 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+342.23 грн
10+225.64 грн
100+198.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+344.60 грн
62+227.19 грн
100+200.01 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+346.04 грн
100+258.05 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies IPP075N15N3+G_Rev2.03.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a304319c6f18c0119cd76cc527ab6 Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V
на замовлення 14156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+393.33 грн
10+251.27 грн
100+178.52 грн
500+138.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPP075N15N3_DS_v02_06_en.pdf MOSFETs N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 INFINEON INFNS15413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB072N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 7200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
на замовлення 5243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 INFINEON INFNS15413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB072N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 ipp075n15n3g_rev2.061.pdf
IPB072N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 178000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+112.00 грн
2000+110.87 грн
5000+109.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 ipp075n15n3g_rev2.061.pdf
IPB072N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+126.48 грн
2000+125.21 грн
5000+123.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 ipp075n15n3g_rev2.061.pdf
IPB072N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 79000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+134.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPP075N15N3+G_Rev2.03.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a304319c6f18c0119cd76cc527ab6
IPB072N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+142.83 грн
2000+129.17 грн
3000+124.91 грн
5000+112.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 ipp075n15n3g_rev2.061.pdf
IPB072N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
228+154.54 грн
500+146.34 грн
1000+138.15 грн
10000+125.31 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 ipp075n15n3g_rev2.061.pdf
IPB072N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
228+154.54 грн
500+146.34 грн
1000+138.15 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 ipp075n15n3g_rev2.061.pdf
IPB072N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 79000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+179.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 ipp075n15n3g_rev2.061.pdf
IPB072N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+198.56 грн
10+165.40 грн
25+158.29 грн
100+136.38 грн
250+124.94 грн
500+101.15 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 ipp075n15n3g_rev2.061.pdf
IPB072N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
71+198.56 грн
85+165.40 грн
89+158.29 грн
100+136.38 грн
250+124.94 грн
500+101.15 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 ipp075n15n3g_rev2.061.pdf
IPB072N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+202.46 грн
2000+190.14 грн
3000+183.86 грн
5000+170.51 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 ipp075n15n3g_rev2.061.pdf
IPB072N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+342.23 грн
10+225.64 грн
100+198.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 ipp075n15n3g_rev2.061.pdf
IPB072N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
41+344.60 грн
62+227.19 грн
100+200.01 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 ipp075n15n3g_rev2.061.pdf
IPB072N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
41+346.04 грн
100+258.05 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPP075N15N3+G_Rev2.03.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a304319c6f18c0119cd76cc527ab6
IPB072N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V
на замовлення 14156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+393.33 грн
10+251.27 грн
100+178.52 грн
500+138.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 Infineon_IPP075N15N3_DS_v02_06_en.pdf
IPB072N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 INFNS15413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB072N15N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB072N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 7200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
на замовлення 5243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 INFNS15413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB072N15N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB072N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.