Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB072N15N3GATMA1
IPB072N15N3GATMA1

IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies

IPP075N15N3+G_Rev2.03.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a304319c6f18c0119cd76cc527ab6 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+228.06 грн
2000+ 206.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB072N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPB072N15N3GATMA1 за ціною від 172.92 грн до 543.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
44+267.81 грн
46+ 256.3 грн
50+ 246.54 грн
100+ 229.67 грн
250+ 206.2 грн
500+ 192.57 грн
1000+ 187.86 грн
Мінімальне замовлення: 44
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS15413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB072N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 9700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+383.45 грн
100+ 310.05 грн
500+ 271.22 грн
1000+ 209.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+440.99 грн
10+ 378.48 грн
25+ 352.91 грн
100+ 293.23 грн
250+ 255.4 грн
500+ 229.79 грн
1000+ 172.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPP075N15N3+G_Rev2.03.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a304319c6f18c0119cd76cc527ab6 Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V
на замовлення 5160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+441.25 грн
10+ 356.62 грн
100+ 288.54 грн
500+ 240.7 грн
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+474.91 грн
29+ 407.59 грн
31+ 380.05 грн
100+ 315.78 грн
250+ 275.05 грн
500+ 247.46 грн
1000+ 186.22 грн
Мінімальне замовлення: 25
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP075N15N3_DS_v02_06_en-1731900.pdf MOSFET N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 3530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+483.69 грн
10+ 400.77 грн
25+ 337.81 грн
100+ 281.73 грн
250+ 279.73 грн
500+ 251.02 грн
1000+ 208.96 грн
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS15413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB072N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 9700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+527.24 грн
10+ 383.45 грн
100+ 310.05 грн
500+ 271.22 грн
1000+ 209.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+543.05 грн
30+ 395.85 грн
50+ 351.1 грн
100+ 318.41 грн
200+ 277.95 грн
500+ 248.08 грн
1000+ 233.59 грн
2000+ 232.74 грн
Мінімальне замовлення: 22
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB072N15N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB072N15N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній