Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB072N15N3GATMA1
IPB072N15N3GATMA1

IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies

ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+155.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB072N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції IPB072N15N3GATMA1 за ціною від 166.54 грн до 563.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS15413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB072N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+270.21 грн
500+236.42 грн
1000+185.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+277.90 грн
46+265.96 грн
50+255.83 грн
100+238.32 грн
250+213.97 грн
500+199.83 грн
1000+194.94 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPP075N15N3+G_Rev2.03.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a304319c6f18c0119cd76cc527ab6 Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+302.53 грн
10+192.11 грн
100+166.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS15413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB072N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+421.33 грн
10+333.45 грн
100+270.21 грн
500+236.42 грн
1000+185.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP075N15N3_DS_v02_06_en-1731900.pdf MOSFETs N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 1891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+434.77 грн
10+323.31 грн
25+256.98 грн
100+207.93 грн
250+205.73 грн
500+181.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+457.61 грн
10+392.74 грн
25+366.21 грн
100+304.28 грн
250+265.03 грн
500+238.45 грн
1000+179.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+492.81 грн
29+422.95 грн
31+394.38 грн
100+327.68 грн
250+285.41 грн
500+256.79 грн
1000+193.23 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+563.52 грн
30+410.77 грн
50+364.33 грн
100+330.42 грн
200+288.43 грн
500+257.43 грн
1000+242.39 грн
2000+241.51 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP075N15N3+G_Rev2.03.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a304319c6f18c0119cd76cc527ab6 IPB072N15N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPP075N15N3+G_Rev2.03.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a304319c6f18c0119cd76cc527ab6 Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.