Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB072N15N3GATMA1
IPB072N15N3GATMA1

IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipp075n15n3-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+136.45 грн
3000+123.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB072N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 7200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm.

Інші пропозиції IPB072N15N3GATMA1 за ціною від 127.49 грн до 402.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 74000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+146.15 грн
3000+144.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 74000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+146.34 грн
3000+144.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+161.36 грн
10+158.80 грн
25+156.33 грн
100+148.28 грн
250+135.01 грн
500+127.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+161.36 грн
90+158.80 грн
92+156.33 грн
100+148.28 грн
250+135.01 грн
500+127.49 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+204.08 грн
500+193.40 грн
1000+182.72 грн
10000+165.90 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+204.08 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 75924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+204.08 грн
500+193.40 грн
1000+182.72 грн
10000+165.90 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipp075n15n3-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V
на замовлення 11854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+371.78 грн
10+237.90 грн
50+186.37 грн
100+159.33 грн
500+141.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+386.31 грн
10+255.34 грн
50+243.39 грн
100+201.39 грн
500+184.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+386.31 грн
56+255.34 грн
59+243.39 грн
100+201.39 грн
500+184.40 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies infineon_ipp075n15n3_ds_en.pdf MOSFETs N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 6165 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+402.72 грн
10+206.89 грн
100+159.43 грн
500+143.34 грн
1000+136.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 INFINEON INFNS15413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB072N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 7200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
на замовлення 3222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 INFINEON INFNS15413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB072N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 7200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
на замовлення 3222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 ipp075n15n3g_rev2.061.pdf
IPB072N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 74000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+146.15 грн
3000+144.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 ipp075n15n3g_rev2.061.pdf
IPB072N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 74000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+146.34 грн
3000+144.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 ipp075n15n3g_rev2.061.pdf
IPB072N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+161.36 грн
10+158.80 грн
25+156.33 грн
100+148.28 грн
250+135.01 грн
500+127.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 ipp075n15n3g_rev2.061.pdf
IPB072N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
89+161.36 грн
90+158.80 грн
92+156.33 грн
100+148.28 грн
250+135.01 грн
500+127.49 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 ipp075n15n3g_rev2.061.pdf
IPB072N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
175+204.08 грн
500+193.40 грн
1000+182.72 грн
10000+165.90 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 ipp075n15n3g_rev2.061.pdf
IPB072N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
175+204.08 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 ipp075n15n3g_rev2.061.pdf
IPB072N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 75924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
175+204.08 грн
500+193.40 грн
1000+182.72 грн
10000+165.90 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 infineon-ipp075n15n3-datasheet-en.pdf
IPB072N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V
на замовлення 11854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+371.78 грн
10+237.90 грн
50+186.37 грн
100+159.33 грн
500+141.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 ipp075n15n3g_rev2.061.pdf
IPB072N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+386.31 грн
10+255.34 грн
50+243.39 грн
100+201.39 грн
500+184.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 ipp075n15n3g_rev2.061.pdf
IPB072N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+386.31 грн
56+255.34 грн
59+243.39 грн
100+201.39 грн
500+184.40 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 infineon_ipp075n15n3_ds_en.pdf
IPB072N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 6165 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+402.72 грн
10+206.89 грн
100+159.43 грн
500+143.34 грн
1000+136.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 INFNS15413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB072N15N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB072N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 7200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
на замовлення 3222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 INFNS15413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB072N15N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB072N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 7200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
на замовлення 3222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.