IPB072N15N3GATMA1

IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies


ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 178000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+101.72 грн
2000+100.70 грн
5000+99.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB072N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPB072N15N3GATMA1 за ціною від 90.84 грн до 299.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 178000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+108.24 грн
2000+107.15 грн
5000+106.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+114.87 грн
2000+113.72 грн
5000+112.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+121.83 грн
2000+120.61 грн
5000+119.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
218+146.74 грн
500+139.29 грн
1000+130.79 грн
10000+118.94 грн
Мінімальне замовлення: 218
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
77+166.04 грн
80+160.77 грн
85+151.67 грн
100+132.88 грн
250+122.05 грн
500+91.50 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+167.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS15413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB072N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+169.56 грн
500+138.59 грн
1000+107.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+177.91 грн
10+172.25 грн
25+162.50 грн
100+142.37 грн
250+130.77 грн
500+98.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
55+233.42 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS15413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB072N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 0.0072 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+261.41 грн
10+190.76 грн
100+146.60 грн
500+118.91 грн
1000+90.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP075N15N3_DS_v02_06_en-1731900.pdf MOSFETs N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 1501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+298.50 грн
10+212.76 грн
100+141.71 грн
500+120.45 грн
1000+101.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPP075N15N3+G_Rev2.03.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a304319c6f18c0119cd76cc527ab6 Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+299.76 грн
10+189.93 грн
100+133.67 грн
500+113.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPP075N15N3+G_Rev2.03.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a304319c6f18c0119cd76cc527ab6 Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.