Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB072N15N3GATMA1
IPB072N15N3GATMA1

IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies

ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 178000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+99.14 грн
2000+98.15 грн
5000+97.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB072N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPB072N15N3GATMA1 за ціною від 88.53 грн до 292.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 178000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+105.49 грн
2000+104.44 грн
5000+103.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+111.96 грн
2000+110.84 грн
5000+109.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+118.74 грн
2000+117.56 грн
5000+116.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
218+143.02 грн
500+135.76 грн
1000+127.47 грн
10000+115.92 грн
Мінімальне замовлення: 218
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
77+161.84 грн
80+156.70 грн
85+147.82 грн
100+129.51 грн
250+118.96 грн
500+89.19 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+162.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS15413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB072N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+165.27 грн
500+135.08 грн
1000+104.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+173.40 грн
10+167.89 грн
25+158.38 грн
100+138.77 грн
250+127.46 грн
500+95.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp075n15n3g_rev2.061.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
55+227.50 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS15413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB072N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 0.0072 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+254.78 грн
10+185.92 грн
100+142.89 грн
500+115.89 грн
1000+88.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP075N15N3_DS_v02_06_en-1731900.pdf MOSFETs N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 1501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+290.94 грн
10+207.36 грн
100+138.11 грн
500+117.40 грн
1000+98.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPP075N15N3+G_Rev2.03.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a304319c6f18c0119cd76cc527ab6 Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+292.17 грн
10+185.11 грн
100+130.28 грн
500+110.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPP075N15N3+G_Rev2.03.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a304319c6f18c0119cd76cc527ab6 Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.