Продукція > INFINEON > IPB073N15N5ATMA1
IPB073N15N5ATMA1

IPB073N15N5ATMA1 INFINEON

INFN-S-A0002484833-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB073N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 0.0056 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+218.70 грн
10+180.74 грн
50+178.26 грн
200+145.60 грн
500+126.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB073N15N5ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPB073N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 0.0056 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 114A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPB073N15N5ATMA1 за ціною від 152.40 грн до 565.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB073N15N5ATMA1 IPB073N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB073N15N5_DS_v02_00_EN-994642.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 11864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+266.07 грн
10+205.59 грн
25+173.62 грн
100+153.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB073N15N5ATMA1 IPB073N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB073N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a031192a5475 Description: MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 57A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+272.96 грн
10+196.11 грн
100+152.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB073N15N5ATMA1 IPB073N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1852infineon-ipb073n15n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f650570154a0.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+283.39 грн
10+258.61 грн
25+255.59 грн
100+219.01 грн
250+175.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB073N15N5ATMA1 IPB073N15N5ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002484833-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB073N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 0.0056 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+343.32 грн
100+278.12 грн
500+233.73 грн
1000+183.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPB073N15N5ATMA1 IPB073N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1852infineon-ipb073n15n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f650570154a0.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+434.30 грн
34+362.87 грн
100+285.72 грн
250+262.38 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
IPB073N15N5ATMA1 IPB073N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1852infineon-ipb073n15n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f650570154a0.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+565.22 грн
30+411.72 грн
50+365.05 грн
100+331.02 грн
200+288.90 грн
500+258.68 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IPB073N15N5ATMA1 IPB073N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1852infineon-ipb073n15n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f650570154a0.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB073N15N5ATMA1 IPB073N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 1852infineon-ipb073n15n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f650570154a0.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB073N15N5ATMA1 IPB073N15N5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB073N15N5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 81A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 81A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB073N15N5ATMA1 IPB073N15N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB073N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a031192a5475 Description: MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 57A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB073N15N5ATMA1 IPB073N15N5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPB073N15N5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 81A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 81A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.