IPB073N15N5ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 57A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 189.76 грн |
| 2000+ | 172.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB073N15N5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB073N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 0.0056 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 114A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPB073N15N5ATMA1 за ціною від 166.9 грн до 542.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB073N15N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB073N15N5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB073N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 0.0056 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 114A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 3385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB073N15N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH >=100V |
на замовлення 12981 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB073N15N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 57A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V |
на замовлення 2619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB073N15N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB073N15N5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB073N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 0.0056 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 114A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 3010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB073N15N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB073N15N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPB073N15N5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IPB073N15N5ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 81A; 214W; PG-TO263-3 Case: PG-TO263-3 Mounting: SMD Power dissipation: 214W Polarisation: unipolar Gate charge: 49nC Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 150V Drain current: 81A On-state resistance: 7.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPB073N15N5ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 81A; 214W; PG-TO263-3 Case: PG-TO263-3 Mounting: SMD Power dissipation: 214W Polarisation: unipolar Gate charge: 49nC Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 150V Drain current: 81A On-state resistance: 7.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |