Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB081N06L3GATMA1
IPB081N06L3GATMA1

IPB081N06L3GATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipb081n06l3-g-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+55.20 грн
3000+47.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB081N06L3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB081N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 8100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 79W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm.

Інші пропозиції IPB081N06L3GATMA1 за ціною від 47.30 грн до 184.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB081N06L3GATMA1 IPB081N06L3GATMA1 Infineon Technologies infineonipp084n06l3gdsen.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+62.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB081N06L3GATMA1 IPB081N06L3GATMA1 Infineon Technologies infineonipp084n06l3gdsen.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+62.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB081N06L3GATMA1 IPB081N06L3GATMA1 Infineon Technologies infineonipp084n06l3gdsen.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+69.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB081N06L3GATMA1 IPB081N06L3GATMA1 Infineon Technologies infineonipp084n06l3gdsen.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+70.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB081N06L3GATMA1 IPB081N06L3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb081n06l3-g-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V
на замовлення 6539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.82 грн
10+106.36 грн
50+80.67 грн
100+67.93 грн
500+54.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB081N06L3GATMA1 IPB081N06L3GATMA1 Infineon Technologies infineonipp084n06l3gdsen.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB081N06L3GATMA1 IPB081N06L3GATMA1 Infineon Technologies infineonipp084n06l3gdsen.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+173.61 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB081N06L3GATMA1 IPB081N06L3GATMA1 Infineon Technologies infineon_ipb081n06l3_g_datasheet_en.pdf MOSFETs N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 3130 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+184.81 грн
10+88.93 грн
100+69.07 грн
500+55.18 грн
1000+50.68 грн
2000+47.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB081N06L3GATMA1 IPB081N06L3GATMA1 INFINEON INFNS19509-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB081N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 8100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB081N06L3GATMA1 infineonipp084n06l3gdsen.pdf
IPB081N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+62.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB081N06L3GATMA1 infineonipp084n06l3gdsen.pdf
IPB081N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+62.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB081N06L3GATMA1 infineonipp084n06l3gdsen.pdf
IPB081N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+69.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB081N06L3GATMA1 infineonipp084n06l3gdsen.pdf
IPB081N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+70.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB081N06L3GATMA1 infineon-ipb081n06l3-g-datasheet-en.pdf
IPB081N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V
на замовлення 6539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+171.82 грн
10+106.36 грн
50+80.67 грн
100+67.93 грн
500+54.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB081N06L3GATMA1 infineonipp084n06l3gdsen.pdf
IPB081N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+173.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB081N06L3GATMA1 infineonipp084n06l3gdsen.pdf
IPB081N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
85+173.61 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB081N06L3GATMA1 infineon_ipb081n06l3_g_datasheet_en.pdf
IPB081N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 3130 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+184.81 грн
10+88.93 грн
100+69.07 грн
500+55.18 грн
1000+50.68 грн
2000+47.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB081N06L3GATMA1 INFNS19509-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB081N06L3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB081N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 8100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.