Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB081N06L3GATMA1
IPB081N06L3GATMA1

IPB081N06L3GATMA1 Infineon Technologies

ipp_b_i_084n06l3_rev2.24.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+45.10 грн
25+42.71 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 17 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB081N06L3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB081N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 8100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 79W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm.

Інші пропозиції IPB081N06L3GATMA1 за ціною від 45.11 грн до 167.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB081N06L3GATMA1 IPB081N06L3GATMA1 Infineon Technologies IPP_B084N06L3_Rev2.21.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b4592273f7db2 Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+52.73 грн
3000+45.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB081N06L3GATMA1 IPB081N06L3GATMA1 Infineon Technologies infineonipp084n06l3gdsen.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+56.25 грн
3000+55.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB081N06L3GATMA1 IPB081N06L3GATMA1 Infineon Technologies infineonipp084n06l3gdsen.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+56.25 грн
3000+55.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB081N06L3GATMA1 IPB081N06L3GATMA1 Infineon Technologies infineonipp084n06l3gdsen.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+78.36 грн
6000+71.60 грн
9000+66.62 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB081N06L3GATMA1 IPB081N06L3GATMA1 Infineon Technologies infineonipp084n06l3gdsen.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+152.61 грн
50+115.77 грн
100+103.88 грн
500+80.04 грн
1000+68.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB081N06L3GATMA1 IPB081N06L3GATMA1 Infineon Technologies IPP_B084N06L3_Rev2.21.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b4592273f7db2 Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V
на замовлення 3649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.33 грн
10+101.60 грн
50+77.07 грн
100+64.89 грн
500+51.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB081N06L3GATMA1 IPB081N06L3GATMA1 Infineon Technologies infineonipp084n06l3gdsen.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+167.95 грн
121+117.82 грн
137+104.12 грн
174+78.62 грн
500+60.91 грн
1000+48.85 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB081N06L3GATMA1 IPB081N06L3GATMA1 Infineon Technologies IPP_B084N06L3_Rev2.21.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b4592273f7db2 MOSFETs N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 4346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB081N06L3GATMA1 IPB081N06L3GATMA1 INFINEON INFNS19509-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB081N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 8100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB081N06L3GATMA1 IPP_B084N06L3_Rev2.21.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b4592273f7db2
IPB081N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+52.73 грн
3000+45.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB081N06L3GATMA1 infineonipp084n06l3gdsen.pdf
IPB081N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+56.25 грн
3000+55.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB081N06L3GATMA1 infineonipp084n06l3gdsen.pdf
IPB081N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+56.25 грн
3000+55.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB081N06L3GATMA1 infineonipp084n06l3gdsen.pdf
IPB081N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+78.36 грн
6000+71.60 грн
9000+66.62 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB081N06L3GATMA1 infineonipp084n06l3gdsen.pdf
IPB081N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+152.61 грн
50+115.77 грн
100+103.88 грн
500+80.04 грн
1000+68.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB081N06L3GATMA1 IPP_B084N06L3_Rev2.21.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b4592273f7db2
IPB081N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V
на замовлення 3649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+164.33 грн
10+101.60 грн
50+77.07 грн
100+64.89 грн
500+51.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB081N06L3GATMA1 infineonipp084n06l3gdsen.pdf
IPB081N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
85+167.95 грн
121+117.82 грн
137+104.12 грн
174+78.62 грн
500+60.91 грн
1000+48.85 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB081N06L3GATMA1 IPP_B084N06L3_Rev2.21.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b4592273f7db2
IPB081N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 4346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB081N06L3GATMA1 INFNS19509-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB081N06L3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB081N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 8100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.