Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB083N10N3GATMA1
IPB083N10N3GATMA1

IPB083N10N3GATMA1 Infineon Technologies

ipi086n10n3gxk.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+71.55 грн
2000+70.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB083N10N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB083N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0072 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPB083N10N3GATMA1 за ціною від 70.72 грн до 164.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB083N10N3GATMA1 IPB083N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipi086n10n3gxk.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+72.09 грн
2000+70.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N10N3GATMA1 IPB083N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipi086n10n3gxk.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+75.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N10N3GATMA1 IPB083N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipi086n10n3gxk.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+135.81 грн
111+127.61 грн
133+105.84 грн
200+97.31 грн
500+74.64 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N10N3GATMA1 IPB083N10N3GATMA1 Infineon Technologies IPP086N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358 Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N10N3GATMA1 IPB083N10N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPP086N10N3G_DS_v02_06_en-1732006.pdf MOSFETs N-Ch 100V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N10N3GATMA1 IPB083N10N3GATMA1 INFINEON INFNS30358-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB083N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0072 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N10N3GATMA1 IPB083N10N3GATMA1 INFINEON INFNS30358-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB083N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0072 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N10N3GATMA1 ipi086n10n3gxk.pdf
IPB083N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+72.09 грн
2000+70.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N10N3GATMA1 ipi086n10n3gxk.pdf
IPB083N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+75.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N10N3GATMA1 ipi086n10n3gxk.pdf
IPB083N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
104+135.81 грн
111+127.61 грн
133+105.84 грн
200+97.31 грн
500+74.64 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N10N3GATMA1 IPP086N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358
IPB083N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+164.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N10N3GATMA1 Infineon_IPP086N10N3G_DS_v02_06_en-1732006.pdf
IPB083N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N10N3GATMA1 INFNS30358-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB083N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB083N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0072 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N10N3GATMA1 INFNS30358-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB083N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB083N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0072 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.