Продукція > INFINEON > IPB083N15N5LFATMA1
IPB083N15N5LFATMA1

IPB083N15N5LFATMA1 INFINEON


2718766.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB083N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 0.0069 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 983 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+359.00 грн
100+261.62 грн
500+203.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB083N15N5LFATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPB083N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 0.0069 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 179W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPB083N15N5LFATMA1 за ціною від 191.39 грн до 508.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB083N15N5LFATMA1 IPB083N15N5LFATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB083N15N5LF_DataSheet_v02_01_EN-3362462.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+453.18 грн
10+314.72 грн
100+205.26 грн
500+198.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N15N5LFATMA1 IPB083N15N5LFATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB083N15N5LF-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b57cf380303f5 Description: MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 134µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+503.75 грн
10+327.46 грн
100+237.93 грн
500+191.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N15N5LFATMA1 IPB083N15N5LFATMA1 Виробник : INFINEON 2718766.pdf Description: INFINEON - IPB083N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 0.0069 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+508.38 грн
10+359.00 грн
100+261.62 грн
500+203.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N15N5LFATMA1 IPB083N15N5LFATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb083n15n5lf-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N15N5LFATMA1 IPB083N15N5LFATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb083n15n5lf-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N15N5LFATMA1 IPB083N15N5LFATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb083n15n5lf-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N15N5LFATMA1 IPB083N15N5LFATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB083N15N5LF-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b57cf380303f5 Description: MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 134µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.