IPB083N15N5LFATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPB083N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 387.78 грн |
| 100+ | 313.96 грн |
| 500+ | 238.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB083N15N5LFATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPB083N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 179W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPB083N15N5LFATMA1 за ціною від 206.26 грн до 542.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB083N15N5LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 2973 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPB083N15N5LFATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB083N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 179W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPB083N15N5LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 134µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V |
на замовлення 955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPB083N15N5LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IPB083N15N5LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IPB083N15N5LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IPB083N15N5LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 134µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V |
товару немає в наявності |