IPB085N15NM6ATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 142.51 грн |
| 10+ | 122.72 грн |
| 25+ | 109.22 грн |
| 100+ | 100.06 грн |
| 250+ | 92.19 грн |
| 500+ | 72.78 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
6 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB085N15NM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB085N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 90 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 158W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm.
Інші пропозиції IPB085N15NM6ATMA1 за ціною від 69.74 грн до 245.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPB085N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 150V 13.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPB085N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 32A, 15V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 158W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 73µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 75 V |
на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPB085N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package |
на замовлення 1462 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPB085N15NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB085N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 90 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 158W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm |
на замовлення 802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
IPB085N15NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB085N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 90 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPB085N15NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 13.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 13.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 103+ | 142.51 грн |
| 120+ | 122.72 грн |
| 134+ | 109.22 грн |
| 141+ | 100.06 грн |
| 250+ | 92.19 грн |
| 500+ | 72.78 грн |
| IPB085N15NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 32A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 75 V
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 32A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 75 V
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 228.83 грн |
| 10+ | 143.19 грн |
| 50+ | 109.84 грн |
| 100+ | 92.98 грн |
| IPB085N15NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package
MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 245.24 грн |
| 10+ | 120.87 грн |
| 100+ | 94.59 грн |
| 500+ | 80.33 грн |
| 1000+ | 72.30 грн |
| 2000+ | 69.74 грн |
| IPB085N15NM6ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB085N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 90 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 158W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
Description: INFINEON - IPB085N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 90 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 158W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPB085N15NM6ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB085N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 90 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - IPB085N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 90 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)