Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB090N06N3GATMA1
IPB090N06N3GATMA1

IPB090N06N3GATMA1 Infineon Technologies

ipp_b093n06n3_rev1.01.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 316000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+57.06 грн
158000+52.14 грн
237000+48.52 грн
316000+44.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB090N06N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB090N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 71W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm.

Інші пропозиції IPB090N06N3GATMA1 за ціною від 51.12 грн до 149.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB090N06N3GATMA1 IPB090N06N3GATMA1 Infineon Technologies ipp_b093n06n3_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+70.14 грн
2000+66.52 грн
3000+64.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1 IPB090N06N3GATMA1 Infineon Technologies ipp_b093n06n3_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+70.14 грн
2000+66.52 грн
3000+64.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1 IPB090N06N3GATMA1 Infineon Technologies ipp_b093n06n3_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+70.92 грн
2000+67.28 грн
3000+65.12 грн
5000+60.57 грн
7000+54.65 грн
10000+51.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1 IPB090N06N3GATMA1 Infineon Technologies ipp_b093n06n3_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+71.08 грн
2000+67.43 грн
3000+65.26 грн
5000+60.70 грн
7000+54.77 грн
10000+51.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1 IPB090N06N3GATMA1 Infineon Technologies ipp_b093n06n3_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
476+73.94 грн
528+66.54 грн
Мінімальне замовлення: 476 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1 IPB090N06N3GATMA1 Infineon Technologies ipp_b093n06n3_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.13 грн
10+102.11 грн
100+71.11 грн
500+57.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1 IPB090N06N3GATMA1 Infineon Technologies ipp_b093n06n3_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+149.13 грн
138+102.11 грн
198+71.11 грн
500+57.23 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1 IPB090N06N3GATMA1 INFINEON INFNS16346-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB090N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1 ipp_b093n06n3_rev1.01.pdf
IPB090N06N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+70.14 грн
2000+66.52 грн
3000+64.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1 ipp_b093n06n3_rev1.01.pdf
IPB090N06N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+70.14 грн
2000+66.52 грн
3000+64.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1 ipp_b093n06n3_rev1.01.pdf
IPB090N06N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+70.92 грн
2000+67.28 грн
3000+65.12 грн
5000+60.57 грн
7000+54.65 грн
10000+51.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1 ipp_b093n06n3_rev1.01.pdf
IPB090N06N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+71.08 грн
2000+67.43 грн
3000+65.26 грн
5000+60.70 грн
7000+54.77 грн
10000+51.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1 ipp_b093n06n3_rev1.01.pdf
IPB090N06N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
476+73.94 грн
528+66.54 грн
Мінімальне замовлення: 476 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1 ipp_b093n06n3_rev1.01.pdf
IPB090N06N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+149.13 грн
10+102.11 грн
100+71.11 грн
500+57.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1 ipp_b093n06n3_rev1.01.pdf
IPB090N06N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
95+149.13 грн
138+102.11 грн
198+71.11 грн
500+57.23 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1 INFNS16346-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB090N06N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB090N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.