Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB090N06N3GATMA1
IPB090N06N3GATMA1

IPB090N06N3GATMA1 Infineon Technologies

ipp_b093n06n3_rev1.01.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+63.48 грн
3000+59.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB090N06N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB090N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 71W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm.

Інші пропозиції IPB090N06N3GATMA1 за ціною від 56.79 грн до 163.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB090N06N3GATMA1 IPB090N06N3GATMA1 Infineon Technologies ipp_b093n06n3_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+63.48 грн
3000+59.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1 IPB090N06N3GATMA1 Infineon Technologies ipp_b093n06n3_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.55 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1 IPB090N06N3GATMA1 Infineon Technologies ipp_b093n06n3_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+65.71 грн
3000+61.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1 IPB090N06N3GATMA1 Infineon Technologies ipp_b093n06n3_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+66.63 грн
3000+62.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1 IPB090N06N3GATMA1 Infineon Technologies ipp_b093n06n3_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 315000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+74.13 грн
156000+67.73 грн
234000+63.02 грн
312000+57.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1 IPB090N06N3GATMA1 Infineon Technologies ipp_b093n06n3_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
368+96.02 грн
500+86.42 грн
Мінімальне замовлення: 368 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1 IPB090N06N3GATMA1 Infineon Technologies ipp_b093n06n3_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
368+96.02 грн
500+86.42 грн
Мінімальне замовлення: 368 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1 IPB090N06N3GATMA1 Infineon Technologies ipp_b093n06n3_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+163.41 грн
142+99.44 грн
196+72.03 грн
500+56.79 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1 IPB090N06N3GATMA1 INFINEON INFNS16346-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB090N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1 ipp_b093n06n3_rev1.01.pdf
IPB090N06N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+63.48 грн
3000+59.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1 ipp_b093n06n3_rev1.01.pdf
IPB090N06N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+64.55 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1 ipp_b093n06n3_rev1.01.pdf
IPB090N06N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+65.71 грн
3000+61.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1 ipp_b093n06n3_rev1.01.pdf
IPB090N06N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+66.63 грн
3000+62.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1 ipp_b093n06n3_rev1.01.pdf
IPB090N06N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 315000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+74.13 грн
156000+67.73 грн
234000+63.02 грн
312000+57.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1 ipp_b093n06n3_rev1.01.pdf
IPB090N06N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
368+96.02 грн
500+86.42 грн
Мінімальне замовлення: 368 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1 ipp_b093n06n3_rev1.01.pdf
IPB090N06N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
368+96.02 грн
500+86.42 грн
Мінімальне замовлення: 368 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1 ipp_b093n06n3_rev1.01.pdf
IPB090N06N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
87+163.41 грн
142+99.44 грн
196+72.03 грн
500+56.79 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1 INFNS16346-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB090N06N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB090N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.