IPB095N20NM6ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 37+ | 342.58 грн |
| 44+ | 288.14 грн |
| 48+ | 265.18 грн |
| 100+ | 239.13 грн |
| 250+ | 212.54 грн |
| 500+ | 201.25 грн |
| 1000+ | 198.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB095N20NM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: IPB095N20NM6ATMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 116A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 62A, 15V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 186µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-U01, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPB095N20NM6ATMA1 за ціною від 174.35 грн до 475.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPB095N20NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 200V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB095N20NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IPB095N20NM6ATMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 116A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 62A, 15V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 186µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-U01 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 100 V |
на замовлення 506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB095N20NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V |
на замовлення 799 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB095N20NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPB095N20NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IPB095N20NM6ATMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 116A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 62A, 15V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 186µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-U01 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |