Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB095N20NM6ATMA1
IPB095N20NM6ATMA1

IPB095N20NM6ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB095N20NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c96250806019626da994e6141
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPB095N20NM6ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 62A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+158.30 грн
2000+146.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB095N20NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB095N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 116 A, 8700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 116A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8700µohm.

Інші пропозиції IPB095N20NM6ATMA1 за ціною від 168.10 грн до 421.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB095N20NM6ATMA1 IPB095N20NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB095N20NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c96250806019626da994e6141 Description: IPB095N20NM6ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 62A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 100 V
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+421.55 грн
10+271.77 грн
100+195.42 грн
500+168.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB095N20NM6ATMA1 IPB095N20NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon_04-04-2025_DS_IPB095N20NM6_1_0_final.pdf MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
на замовлення 2752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB095N20NM6ATMA1 IPB095N20NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPB095N20NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c96250806019626da994e6141 Description: INFINEON - IPB095N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 116 A, 8700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8700µohm
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB095N20NM6ATMA1 IPB095N20NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPB095N20NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c96250806019626da994e6141 Description: INFINEON - IPB095N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 116 A, 8700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8700µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB095N20NM6ATMA1 Infineon-IPB095N20NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c96250806019626da994e6141
IPB095N20NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPB095N20NM6ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 62A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 100 V
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+421.55 грн
10+271.77 грн
100+195.42 грн
500+168.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB095N20NM6ATMA1 Infineon_04-04-2025_DS_IPB095N20NM6_1_0_final.pdf
IPB095N20NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
на замовлення 2752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB095N20NM6ATMA1 Infineon-IPB095N20NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c96250806019626da994e6141
IPB095N20NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB095N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 116 A, 8700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8700µohm
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB095N20NM6ATMA1 Infineon-IPB095N20NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c96250806019626da994e6141
IPB095N20NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB095N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 116 A, 8700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8700µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.