Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB100N04S204ATMA4
IPB100N04S204ATMA4

IPB100N04S204ATMA4 Infineon Technologies

ipp_b100n04s2-04_green.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+189.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB100N04S204ATMA4 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IPB100N04S204ATMA4 за ціною від 129.2 грн до 292.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPB100N04S204ATMA4 IPB100N04S204ATMA4 Виробник : Infineon Technologies IPx100N04S2-04.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+269.49 грн
10+ 217.82 грн
100+ 176.23 грн
500+ 147.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB100N04S204ATMA4 IPB100N04S204ATMA4 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB100N04S2_04_DataSheet_v01_00_EN-2320670.pdf MOSFET MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+292.97 грн
10+ 242.31 грн
25+ 208.71 грн
100+ 170.28 грн
250+ 169.62 грн
500+ 151.73 грн
1000+ 129.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB100N04S204ATMA4 IPB100N04S204ATMA4 Виробник : Infineon Technologies ipp_b100n04s2-04_green.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPB100N04S204ATMA4 IPB100N04S204ATMA4 Виробник : Infineon Technologies ipp_b100n04s2-04_green.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPB100N04S204ATMA4 IPB100N04S204ATMA4 Виробник : Infineon Technologies IPx100N04S2-04.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
товар відсутній