Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB100N04S204ATMA4
IPB100N04S204ATMA4

IPB100N04S204ATMA4 Infineon Technologies

IPx100N04S2-04.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
184+112.49 грн
Мінімальне замовлення: 184
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB100N04S204ATMA4 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPB100N04S204ATMA4 за ціною від 141.50 грн до 320.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB100N04S204ATMA4 IPB100N04S204ATMA4 Виробник : Infineon Technologies ipp_b100n04s2-04_green.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+198.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S204ATMA4 IPB100N04S204ATMA4 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB100N04S2_04_DataSheet_v01_00_EN-2320670.pdf MOSFET MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+320.86 грн
10+265.37 грн
25+228.58 грн
100+186.50 грн
250+185.77 грн
500+166.18 грн
1000+141.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S204ATMA4 IPB100N04S204ATMA4 Виробник : Infineon Technologies ipp_b100n04s2-04_green.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S204ATMA4 IPB100N04S204ATMA4 Виробник : Infineon Technologies ipp_b100n04s2-04_green.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S204ATMA4 IPB100N04S204ATMA4 Виробник : Infineon Technologies IPx100N04S2-04.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S204ATMA4 IPB100N04S204ATMA4 Виробник : Infineon Technologies IPx100N04S2-04.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.