Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB100N04S3-03
IPB100N04S3-03

IPB100N04S3-03 Infineon Technologies

Infineon-IPP_B_I100N04S3_03-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304412b407950112b42ba0e8457f&ack=t
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB100N04S3-03 Infineon Technologies

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 100A; 214W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 100A, Power dissipation: 214W, Case: PG-TO263-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 110nC, Kind of channel: enhancement, Technology: OptiMOS™ T.

Інші пропозиції IPB100N04S3-03

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB100N04S3-03 IPB100N04S3-03 Infineon Technologies infns10775_1-2270956.pdf MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S303ATMA1 IPB100N04S303ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB100N04S303.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 100A; 214W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S3-03 infns10775_1-2270956.pdf
IPB100N04S3-03
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S303ATMA1 IPB100N04S303.pdf
IPB100N04S303ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 100A; 214W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.