Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB100N04S4H2ATMA1
IPB100N04S4H2ATMA1

IPB100N04S4H2ATMA1 Infineon Technologies

ipp_b_i100n04s4-h2_ds_1_01.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+74.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB100N04S4H2ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 115W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7180 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IPB100N04S4H2ATMA1 за ціною від 73.55 грн до 181.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPB100N04S4H2ATMA1 IPB100N04S4H2ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I100N04S4_H2-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c2758925d17&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7180 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+85.91 грн
2000+ 78.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IPB100N04S4H2ATMA1 IPB100N04S4H2ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP_B_I100N04S4_H2_DS_v01_00_en-1730684.pdf MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.55 грн
10+ 108.96 грн
100+ 81.5 грн
500+ 73.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPB100N04S4H2ATMA1 IPB100N04S4H2ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I100N04S4_H2-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c2758925d17&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7180 pF @ 25 V
на замовлення 4996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+181.33 грн
10+ 144.8 грн
100+ 115.23 грн
500+ 91.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPB100N04S4H2ATMA1 Виробник : Infineon Infineon-IPP_B_I100N04S4_H2-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c2758925d17&ack=t
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)