IPB100N04S4H2ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7180 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 59.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB100N04S4H2ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB100N04S4H2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPB100N04S4H2ATMA1 за ціною від 59.67 грн до 141.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB100N04S4H2ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB100N04S4H2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB100N04S4H2ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB100N04S4H2ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7180 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPB100N04S4H2ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB100N04S4H2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPB100N04S4H2ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2 |
на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPB100N04S4H2ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IPB100N04S4H2ATMA1 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |