Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB100N06S205ATMA4
IPB100N06S205ATMA4

IPB100N06S205ATMA4 Infineon Technologies

IPx100N06S2-05.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
на замовлення 44627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
121+168.41 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 121 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB100N06S205ATMA4 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB100N06S205ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 100 A, 0.0037 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Інші пропозиції IPB100N06S205ATMA4 за ціною від 179.97 грн до 326.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB100N06S205ATMA4 IPB100N06S205ATMA4 Infineon Technologies infineonipb100n06s205datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+222.08 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S205ATMA4 IPB100N06S205ATMA4 Infineon Technologies infineonipb100n06s205datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 44200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+222.08 грн
500+210.26 грн
1000+198.45 грн
10000+179.97 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S205ATMA4 IPB100N06S205ATMA4 Infineon Technologies infineonipb100n06s205datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+222.08 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S205ATMA4 IPB100N06S205ATMA4 Infineon Technologies infineonipb100n06s205datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+325.96 грн
10+275.22 грн
25+258.13 грн
100+235.11 грн
500+210.22 грн
1000+199.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S205ATMA4 IPB100N06S205ATMA4 Infineon Technologies infineonipb100n06s205datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+326.52 грн
52+275.69 грн
55+258.57 грн
100+235.52 грн
500+210.57 грн
1000+199.47 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S205ATMA4 IPB100N06S205ATMA4 INFINEON IPx100N06S2-05.pdf Description: INFINEON - IPB100N06S205ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 100 A, 0.0037 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S205ATMA4 IPB100N06S205ATMA4 INFINEON IPx100N06S2-05.pdf Description: INFINEON - IPB100N06S205ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 100 A, 0.0037 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S205ATMA4 infineonipb100n06s205datasheeten.pdf
IPB100N06S205ATMA4
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
160+222.08 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S205ATMA4 infineonipb100n06s205datasheeten.pdf
IPB100N06S205ATMA4
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 44200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
160+222.08 грн
500+210.26 грн
1000+198.45 грн
10000+179.97 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S205ATMA4 infineonipb100n06s205datasheeten.pdf
IPB100N06S205ATMA4
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
160+222.08 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S205ATMA4 infineonipb100n06s205datasheeten.pdf
IPB100N06S205ATMA4
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+325.96 грн
10+275.22 грн
25+258.13 грн
100+235.11 грн
500+210.22 грн
1000+199.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S205ATMA4 infineonipb100n06s205datasheeten.pdf
IPB100N06S205ATMA4
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
44+326.52 грн
52+275.69 грн
55+258.57 грн
100+235.52 грн
500+210.57 грн
1000+199.47 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S205ATMA4 IPx100N06S2-05.pdf
IPB100N06S205ATMA4
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB100N06S205ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 100 A, 0.0037 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S205ATMA4 IPx100N06S2-05.pdf
IPB100N06S205ATMA4
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB100N06S205ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 100 A, 0.0037 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.