IPB100N08S2L07ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 133+ | 158.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB100N08S2L07ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IPB100N08S2L07ATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB100N08S2L07ATMA1 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IPB100N08S2L07ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
IPB100N08S2L07ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|
|
|
IPB100N08S2L07ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|
 |
IPB100N08S2L07ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS |
товару немає в наявності |