Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB100N12S305ATMA1
IPB100N12S305ATMA1

IPB100N12S305ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPP_B_I100N12S3-05-Data-Sheet-02-Infineon-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158baf0aced7fe9
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+181.19 грн
2000+164.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB100N12S305ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB100N12S305ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.004 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPB100N12S305ATMA1 за ціною від 191.24 грн до 350.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB100N12S305ATMA1 IPB100N12S305ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I100N12S3-05-Data-Sheet-02-Infineon-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158baf0aced7fe9 Description: MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+350.23 грн
10+283.37 грн
100+229.25 грн
500+191.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA1 IPB100N12S305ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I100N12S3-05-Data-Sheet-02-Infineon-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs N-CHANNEL 100+
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA1 IPB100N12S305ATMA1 INFINEON 2849742.pdf Description: INFINEON - IPB100N12S305ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.004 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA1 IPB100N12S305ATMA1 INFINEON 2849742.pdf Description: INFINEON - IPB100N12S305ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.004 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA1 Infineon-IPP_B_I100N12S3-05-Data-Sheet-02-Infineon-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158baf0aced7fe9
IPB100N12S305ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+350.23 грн
10+283.37 грн
100+229.25 грн
500+191.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA1 Infineon-IPP_B_I100N12S3-05-Data-Sheet-02-Infineon-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IPB100N12S305ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-CHANNEL 100+
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA1 2849742.pdf
IPB100N12S305ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB100N12S305ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.004 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA1 2849742.pdf
IPB100N12S305ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB100N12S305ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.004 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.