Продукція > INFINEON > IPB107N20N3G
IPB107N20N3G

IPB107N20N3G Infineon

info-tipb107n20n3g.pdf
Виробник: Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 11mOhm; 88A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPB107N20N3GATMA1; IPB107N20N3G INFINEON TIPB107n20n3g
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+326.38 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 28-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 5 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB107N20N3G Infineon

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 200V; 88A; Idm: 352A; 300W; D2PAK-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 88A, Pulsed drain current: 352A, Power dissipation: 300W, Case: D2PAK-3, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Semiconductor structure: single transistor.

Інші пропозиції IPB107N20N3G за ціною від 369.84 грн до 776.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB107N20N3 G IPB107N20N3 G Infineon Technologies ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+776.20 грн
25+740.37 грн
50+710.57 грн
100+661.03 грн
250+593.08 грн
500+553.76 грн
1000+540.32 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3 G IPB107N20N3 G Infineon Technologies Infineon_IPP_I_110N20N3G_IPB107N20N3G_DS_v02_03_en.pdf MOSFETs N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 3060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3 G INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 200V; 88A; Idm: 352A; 300W; D2PAK-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Pulsed drain current: 352A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+541.90 грн
10+454.55 грн
30+421.84 грн
50+415.13 грн
60+414.29 грн
100+369.84 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3 G ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf
IPB107N20N3 G
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+776.20 грн
25+740.37 грн
50+710.57 грн
100+661.03 грн
250+593.08 грн
500+553.76 грн
1000+540.32 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3 G Infineon_IPP_I_110N20N3G_IPB107N20N3G_DS_v02_03_en.pdf
IPB107N20N3 G
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 3060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3 G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 200V; 88A; Idm: 352A; 300W; D2PAK-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Pulsed drain current: 352A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+541.90 грн
10+454.55 грн
30+421.84 грн
50+415.13 грн
60+414.29 грн
100+369.84 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.