Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB107N20N3GATMA1
IPB107N20N3GATMA1

IPB107N20N3GATMA1 Infineon Technologies

IPP_I_110N20N3+G_IPB107N20N3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f170124968e7d1f18e7 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
на замовлення 1949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+178.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB107N20N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB107N20N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0096 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 88A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPB107N20N3GATMA1 за ціною від 173.56 грн до 388.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB107N20N3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+185.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+187.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+188.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+200.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+201.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS17046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB107N20N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0096 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+282.73 грн
200+226.38 грн
500+191.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+289.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+323.32 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPP_I_110N20N3+G_IPB107N20N3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f170124968e7d1f18e7 Description: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
на замовлення 1949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+342.02 грн
10+269.69 грн
100+207.85 грн
500+194.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP_I_110N20N3G_IPB107N20N3G_DS_v02_03_en-1731855.pdf MOSFETs N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 4014 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+371.52 грн
10+300.26 грн
100+200.72 грн
500+184.88 грн
1000+173.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS17046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB107N20N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0096 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+388.55 грн
10+321.67 грн
50+282.73 грн
200+226.38 грн
500+191.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBC09BF31FC11C&compId=IPB107N20N3G-DTE.pdf?ci_sign=3aa81fd74f1452936f06da3031e959bc85802488 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
On-state resistance: 10.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBC09BF31FC11C&compId=IPB107N20N3G-DTE.pdf?ci_sign=3aa81fd74f1452936f06da3031e959bc85802488 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
On-state resistance: 10.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.