IPB107N20NAATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES


IPB107N20NA-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 10.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 88A
Drain-source voltage: 200V
Power dissipation: 300W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
на замовлення 655 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+469.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB107N20NAATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA, Power Dissipation (Max): 300W (Tc).

Інші пропозиції IPB107N20NAATMA1 за ціною від 286.16 грн до 656.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPB107N20NAATMA1 IPB107N20NAATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP110N20NA_IPB107N20NA-DS-v02_01-en.pdf MOSFETs Mosfet, DCtoDC Nchannel 200V
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+626.59 грн
10+427.16 грн
100+297.44 грн
500+286.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1 IPB107N20NAATMA1 Infineon Technologies IPP110N20NA_IPB107N20NA+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043300464130130307ce52a20a3 Description: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+656.55 грн
10+435.08 грн
100+323.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1 Infineon-IPP110N20NA_IPB107N20NA-DS-v02_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs Mosfet, DCtoDC Nchannel 200V
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+626.59 грн
10+427.16 грн
100+297.44 грн
500+286.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1 IPP110N20NA_IPB107N20NA+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043300464130130307ce52a20a3
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+656.55 грн
10+435.08 грн
100+323.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.