Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB107N20NAATMA1
IPB107N20NAATMA1

IPB107N20NAATMA1 Infineon Technologies

ipp110n20na_ipb107n20narev2.1.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+340.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB107N20NAATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPB107N20NAATMA1 за ціною від 304.02 грн до 635.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB107N20NAATMA1 IPB107N20NAATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp110n20na_ipb107n20narev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+346.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1 IPB107N20NAATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPP110N20NA_IPB107N20NA+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043300464130130307ce52a20a3 Description: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+352.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1 IPB107N20NAATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp110n20na_ipb107n20narev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+365.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1 IPB107N20NAATMA1 Виробник : INFINEON INFNS15477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB107N20NAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0096 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+415.64 грн
50+373.37 грн
100+332.32 грн
250+325.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1 IPB107N20NAATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp110n20na_ipb107n20narev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+476.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1 IPB107N20NAATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBCC450370611C&compId=IPB107N20NA-DTE.pdf?ci_sign=95e67b89e8669e5b30bbb7d2de564a5b3a2d6af1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
On-state resistance: 10.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+529.92 грн
3+437.83 грн
6+413.46 грн
250+410.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1 IPB107N20NAATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp110n20na_ipb107n20narev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+534.06 грн
27+458.64 грн
50+420.93 грн
100+388.21 грн
200+347.62 грн
500+332.84 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1 IPB107N20NAATMA1 Виробник : INFINEON INFNS15477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB107N20NAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0096 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+546.00 грн
5+461.35 грн
10+375.85 грн
50+341.14 грн
100+307.65 грн
250+304.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1 IPB107N20NAATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP110N20NA_IPB107N20NA_DS_v02_01_en-1730693.pdf MOSFETs Mosfet, DCtoDC Nchannel 200V
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+626.82 грн
10+391.38 грн
100+338.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1 IPB107N20NAATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPP110N20NA_IPB107N20NA+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043300464130130307ce52a20a3 Description: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+630.98 грн
10+363.07 грн
100+347.04 грн
500+318.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1 IPB107N20NAATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBCC450370611C&compId=IPB107N20NA-DTE.pdf?ci_sign=95e67b89e8669e5b30bbb7d2de564a5b3a2d6af1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
On-state resistance: 10.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 820 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+635.90 грн
3+545.60 грн
6+496.15 грн
250+492.38 грн
1000+477.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1 IPB107N20NAATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp110n20na_ipb107n20narev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.