Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB107N20NAATMA1
IPB107N20NAATMA1

IPB107N20NAATMA1 Infineon Technologies

ipp110n20na_ipb107n20narev2.1.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+338.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB107N20NAATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPB107N20NAATMA1 за ціною від 296.39 грн до 652.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB107N20NAATMA1 IPB107N20NAATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp110n20na_ipb107n20narev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+340.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1 IPB107N20NAATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPP110N20NA_IPB107N20NA+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043300464130130307ce52a20a3 Description: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+343.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1 IPB107N20NAATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp110n20na_ipb107n20narev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+364.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1 IPB107N20NAATMA1 Виробник : INFINEON INFNS15477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB107N20NAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0096 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+405.21 грн
50+364.01 грн
100+323.98 грн
250+317.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1 IPB107N20NAATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp110n20na_ipb107n20narev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+474.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1 IPB107N20NAATMA1 Виробник : INFINEON INFNS15477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB107N20NAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0096 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+532.31 грн
5+449.78 грн
10+366.43 грн
50+332.59 грн
100+299.93 грн
250+296.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1 IPB107N20NAATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp110n20na_ipb107n20narev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+532.78 грн
27+457.54 грн
50+419.92 грн
100+387.27 грн
200+346.78 грн
500+332.04 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1 IPB107N20NAATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP110N20NA_IPB107N20NA_DS_v02_01_en-1730693.pdf MOSFETs Mosfet, DCtoDC Nchannel 200V
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+611.11 грн
10+381.56 грн
100+330.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1 IPB107N20NAATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPP110N20NA_IPB107N20NA+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043300464130130307ce52a20a3 Description: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+615.16 грн
10+353.97 грн
100+338.34 грн
500+310.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP110N20NA_IPB107N20NA+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043300464130130307ce52a20a3 IPB107N20NAATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 828 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+652.63 грн
3+512.22 грн
6+483.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1 IPB107N20NAATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp110n20na_ipb107n20narev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.