Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB108N15N3GATMA1
IPB108N15N3GATMA1

IPB108N15N3GATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPP_I111N15N3_IPB108N15N3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a304325305e6d01254a5795541b4f
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 83A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+117.94 грн
3000+104.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB108N15N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB108N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 0.0108 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 83A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 214W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm.

Інші пропозиції IPB108N15N3GATMA1 за ціною від 120.24 грн до 414.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB108N15N3GATMA1 IPB108N15N3GATMA1 Infineon Technologies infineonippi111n15n3ipb108n15n3dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+163.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3GATMA1 IPB108N15N3GATMA1 Infineon Technologies infineonippi111n15n3ipb108n15n3dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+166.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3GATMA1 IPB108N15N3GATMA1 Infineon Technologies infineonippi111n15n3ipb108n15n3dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+190.94 грн
500+181.51 грн
1000+170.90 грн
10000+155.70 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3GATMA1 IPB108N15N3GATMA1 Infineon Technologies infineonippi111n15n3ipb108n15n3dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+236.01 грн
10+139.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3GATMA1 IPB108N15N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_I111N15N3_IPB108N15N3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a304325305e6d01254a5795541b4f Description: MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 83A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 75 V
на замовлення 5209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+328.42 грн
10+208.62 грн
50+162.66 грн
100+138.75 грн
500+120.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3GATMA1 IPB108N15N3GATMA1 Infineon Technologies infineonippi111n15n3ipb108n15n3dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+408.57 грн
57+251.11 грн
100+184.63 грн
500+150.89 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3GATMA1 IPB108N15N3GATMA1 Infineon Technologies infineonippi111n15n3ipb108n15n3dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+414.23 грн
10+254.59 грн
100+187.18 грн
500+152.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3GATMA1 IPB108N15N3GATMA1 INFINEON INFN-S-A0002955147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB108N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 0.0108 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3GATMA1 IPB108N15N3GATMA1 Infineon Technologies infineonippi111n15n3ipb108n15n3dsv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3GATMA1 IPB108N15N3GATMA1 INFINEON INFN-S-A0002955147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB108N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 0.0108 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3GATMA1 infineonippi111n15n3ipb108n15n3dsv0202en.pdf
IPB108N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+163.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3GATMA1 infineonippi111n15n3ipb108n15n3dsv0202en.pdf
IPB108N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+166.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3GATMA1 infineonippi111n15n3ipb108n15n3dsv0202en.pdf
IPB108N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
186+190.94 грн
500+181.51 грн
1000+170.90 грн
10000+155.70 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3GATMA1 infineonippi111n15n3ipb108n15n3dsv0202en.pdf
IPB108N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+236.01 грн
10+139.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3GATMA1 Infineon-IPP_I111N15N3_IPB108N15N3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a304325305e6d01254a5795541b4f
IPB108N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 83A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 75 V
на замовлення 5209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+328.42 грн
10+208.62 грн
50+162.66 грн
100+138.75 грн
500+120.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3GATMA1 infineonippi111n15n3ipb108n15n3dsv0202en.pdf
IPB108N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
35+408.57 грн
57+251.11 грн
100+184.63 грн
500+150.89 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3GATMA1 infineonippi111n15n3ipb108n15n3dsv0202en.pdf
IPB108N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+414.23 грн
10+254.59 грн
100+187.18 грн
500+152.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3GATMA1 INFN-S-A0002955147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB108N15N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB108N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 0.0108 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3GATMA1 infineonippi111n15n3ipb108n15n3dsv0202en.pdf
IPB108N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3GATMA1 INFN-S-A0002955147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB108N15N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB108N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 0.0108 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.