IPB110N06LG infineon


Виробник: infineon

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB110N06LG infineon

Description: MOSFET N-CH 60V 78A TO-263, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 78A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 94µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Part Status: Obsolete, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V.

Інші пропозиції IPB110N06LG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPB110N06L G IPB110N06L G Виробник : Infineon Technologies IP(B,P)110N06L_G.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 78A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 78A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
товар відсутній