IPB110N20N3LFATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 256.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB110N20N3LFATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB110N20N3LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0098 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 88A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPB110N20N3LFATMA1 за ціною від 241.25 грн до 794.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB110N20N3LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB110N20N3LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPB110N20N3LFATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB110N20N3LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0098 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 88A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB110N20N3LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 88A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 260µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V |
на замовлення 2594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPB110N20N3LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 116 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB110N20N3LFATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPB110N20N3LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0098 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 88A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB110N20N3LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPB110N20N3LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPB110N20N3LFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |