IPB110N20N3LFATMA1

IPB110N20N3LFATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPB110N20N3LF-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5b256a953c6d Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
на замовлення 2380 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+251.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB110N20N3LFATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB110N20N3LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0098 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 88A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPB110N20N3LFATMA1 за ціною від 244.84 грн до 799.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB110N20N3LFATMA1 IPB110N20N3LFATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb110n20n3lf-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46259d9a4bf015a.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+272.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110N20N3LFATMA1 IPB110N20N3LFATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb110n20n3lf-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46259d9a4bf015a.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+293.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110N20N3LFATMA1 IPB110N20N3LFATMA1 Виробник : INFINEON 2718767.pdf Description: INFINEON - IPB110N20N3LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0098 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+444.79 грн
50+411.15 грн
200+350.56 грн
500+294.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110N20N3LFATMA1 IPB110N20N3LFATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB110N20N3LF-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5b256a953c6d Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
на замовлення 2594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+528.63 грн
10+344.93 грн
100+270.05 грн
500+244.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110N20N3LFATMA1 IPB110N20N3LFATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB110N20N3LF_DS_v02_01_EN-1122070.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+605.98 грн
10+405.11 грн
100+287.07 грн
500+275.82 грн
1000+257.08 грн
2000+255.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110N20N3LFATMA1 IPB110N20N3LFATMA1 Виробник : INFINEON 2718767.pdf Description: INFINEON - IPB110N20N3LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0098 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+623.04 грн
10+444.79 грн
50+411.15 грн
200+350.56 грн
500+294.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110N20N3LFATMA1 IPB110N20N3LFATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb110n20n3lf-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46259d9a4bf015a.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+799.82 грн
22+560.18 грн
50+528.44 грн
100+422.66 грн
200+390.44 грн
500+335.32 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110N20N3LFATMA1 IPB110N20N3LFATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb110n20n3lf-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46259d9a4bf015a.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110N20N3LFATMA1 IPB110N20N3LFATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipb110n20n3lf-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46259d9a4bf015a.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.