Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB110N20N3LFATMA1
IPB110N20N3LFATMA1

IPB110N20N3LFATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipb110n20n3lf-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46259d9a4bf015a.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+337.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB110N20N3LFATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB110N20N3LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0098 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 88A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPB110N20N3LFATMA1 за ціною від 329.66 грн до 918.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB110N20N3LFATMA1 IPB110N20N3LFATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb110n20n3lf-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46259d9a4bf015a.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+674.84 грн
10+471.98 грн
100+364.31 грн
500+329.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110N20N3LFATMA1 IPB110N20N3LFATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb110n20n3lf-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46259d9a4bf015a.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+675.99 грн
30+472.79 грн
100+364.94 грн
500+330.22 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110N20N3LFATMA1 IPB110N20N3LFATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb110n20n3lf-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46259d9a4bf015a.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+918.46 грн
22+643.27 грн
50+606.82 грн
100+485.35 грн
200+448.35 грн
500+385.06 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110N20N3LFATMA1 IPB110N20N3LFATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB110N20N3LF-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5b256a953c6d MOSFETs IFX FET >150 - 400V
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110N20N3LFATMA1 IPB110N20N3LFATMA1 INFINEON 2718767.pdf Description: INFINEON - IPB110N20N3LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0098 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110N20N3LFATMA1 IPB110N20N3LFATMA1 INFINEON 2718767.pdf Description: INFINEON - IPB110N20N3LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0098 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110N20N3LFATMA1 infineon-ipb110n20n3lf-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46259d9a4bf015a.pdf
IPB110N20N3LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+674.84 грн
10+471.98 грн
100+364.31 грн
500+329.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110N20N3LFATMA1 infineon-ipb110n20n3lf-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46259d9a4bf015a.pdf
IPB110N20N3LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+675.99 грн
30+472.79 грн
100+364.94 грн
500+330.22 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110N20N3LFATMA1 infineon-ipb110n20n3lf-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46259d9a4bf015a.pdf
IPB110N20N3LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+918.46 грн
22+643.27 грн
50+606.82 грн
100+485.35 грн
200+448.35 грн
500+385.06 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110N20N3LFATMA1 Infineon-IPB110N20N3LF-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5b256a953c6d
IPB110N20N3LFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >150 - 400V
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110N20N3LFATMA1 2718767.pdf
IPB110N20N3LFATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB110N20N3LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0098 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110N20N3LFATMA1 2718767.pdf
IPB110N20N3LFATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB110N20N3LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0098 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.