Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB110P06LMATMA1
IPB110P06LMATMA1

IPB110P06LMATMA1 Infineon Technologies

infineonipb110p06lmdsv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+165.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB110P06LMATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB110P06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 0.011 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 300W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm.

Інші пропозиції IPB110P06LMATMA1 за ціною від 155.21 грн до 479.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB110P06LMATMA1 IPB110P06LMATMA1 Infineon Technologies infineonipb110p06lmdsv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+165.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110P06LMATMA1 IPB110P06LMATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb110p06lm-ds-v02_00-en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+194.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110P06LMATMA1 IPB110P06LMATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB110P06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a03e2d06000ae Description: MOSFET P-CH 60V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 5.55mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 281 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 30 V
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+379.37 грн
10+242.66 грн
50+190.15 грн
100+162.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110P06LMATMA1 IPB110P06LMATMA1 Infineon Technologies infineonipb110p06lmdsv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+407.68 грн
10+284.75 грн
50+264.39 грн
100+200.26 грн
500+155.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110P06LMATMA1 IPB110P06LMATMA1 Infineon Technologies infineonipb110p06lmdsv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+408.38 грн
50+285.24 грн
54+264.84 грн
100+200.60 грн
500+155.48 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110P06LMATMA1 IPB110P06LMATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb110p06lm-ds-v02_00-en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+479.70 грн
42+344.16 грн
55+261.65 грн
100+245.49 грн
200+212.57 грн
500+198.01 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110P06LMATMA1 IPB110P06LMATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB110P06LM-DS-v02_00-EN.pdf MOSFETs P-Channel
на замовлення 6704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110P06LMATMA1 IPB110P06LMATMA1 INFINEON Infineon-IPB110P06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a03e2d06000ae Description: INFINEON - IPB110P06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 0.011 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 1246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110P06LMATMA1 IPB110P06LMATMA1 INFINEON Infineon-IPB110P06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a03e2d06000ae Description: INFINEON - IPB110P06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 0.011 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 1246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110P06LMATMA1 infineonipb110p06lmdsv0200en.pdf
IPB110P06LMATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+165.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110P06LMATMA1 infineon-ipb110p06lm-ds-v02_00-en.pdf
IPB110P06LMATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+194.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110P06LMATMA1 Infineon-IPB110P06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a03e2d06000ae
IPB110P06LMATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 5.55mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 281 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 30 V
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+379.37 грн
10+242.66 грн
50+190.15 грн
100+162.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110P06LMATMA1 infineonipb110p06lmdsv0200en.pdf
IPB110P06LMATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+407.68 грн
10+284.75 грн
50+264.39 грн
100+200.26 грн
500+155.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110P06LMATMA1 infineonipb110p06lmdsv0200en.pdf
IPB110P06LMATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
35+408.38 грн
50+285.24 грн
54+264.84 грн
100+200.60 грн
500+155.48 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110P06LMATMA1 infineon-ipb110p06lm-ds-v02_00-en.pdf
IPB110P06LMATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+479.70 грн
42+344.16 грн
55+261.65 грн
100+245.49 грн
200+212.57 грн
500+198.01 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110P06LMATMA1 Infineon-IPB110P06LM-DS-v02_00-EN.pdf
IPB110P06LMATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs P-Channel
на замовлення 6704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110P06LMATMA1 Infineon-IPB110P06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a03e2d06000ae
IPB110P06LMATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB110P06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 0.011 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 1246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110P06LMATMA1 Infineon-IPB110P06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a03e2d06000ae
IPB110P06LMATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB110P06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 0.011 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 1246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.