Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB117N20NFDATMA1
IPB117N20NFDATMA1

IPB117N20NFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

IPB117N20NFD-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 84A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 273 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+324.91 грн
10+270.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB117N20NFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - IPB117N20NFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 84 A, 0.0103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 84A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS FD, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPB117N20NFDATMA1 за ціною від 289.10 грн до 583.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB117N20NFDATMA1 IPB117N20NFDATMA1 Infineon Technologies infineonipb117n20nfddsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+334.29 грн
500+316.58 грн
1000+298.86 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB117N20NFDATMA1 IPB117N20NFDATMA1 Infineon Technologies infineonipb117n20nfddsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+583.34 грн
10+428.16 грн
25+423.87 грн
50+395.31 грн
100+289.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB117N20NFDATMA1 IPB117N20NFDATMA1 Infineon Technologies infineonipb117n20nfddsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+583.34 грн
34+423.87 грн
50+395.31 грн
100+289.10 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB117N20NFDATMA1 IPB117N20NFDATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB117N20NFD_DS_v02_00_en-1731707.pdf MOSFETs N-Ch 200V 84A D2PAK-2
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB117N20NFDATMA1 IPB117N20NFDATMA1 INFINEON INFNS29196-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB117N20NFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 84 A, 0.0103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS FD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB117N20NFDATMA1 IPB117N20NFDATMA1 INFINEON INFNS29196-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB117N20NFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 84 A, 0.0103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS FD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB117N20NFDATMA1 infineonipb117n20nfddsv0200en.pdf
IPB117N20NFDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
107+334.29 грн
500+316.58 грн
1000+298.86 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB117N20NFDATMA1 infineonipb117n20nfddsv0200en.pdf
IPB117N20NFDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+583.34 грн
10+428.16 грн
25+423.87 грн
50+395.31 грн
100+289.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB117N20NFDATMA1 infineonipb117n20nfddsv0200en.pdf
IPB117N20NFDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+583.34 грн
34+423.87 грн
50+395.31 грн
100+289.10 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB117N20NFDATMA1 Infineon_IPB117N20NFD_DS_v02_00_en-1731707.pdf
IPB117N20NFDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 200V 84A D2PAK-2
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB117N20NFDATMA1 INFNS29196-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB117N20NFDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB117N20NFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 84 A, 0.0103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS FD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB117N20NFDATMA1 INFNS29196-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB117N20NFDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB117N20NFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 84 A, 0.0103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS FD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.