Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB117N20NFDATMA1
IPB117N20NFDATMA1

IPB117N20NFDATMA1 Infineon Technologies

DS_IPB117N20NFD_2_0.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043440adf7501440c8377500152
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 84A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+212.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB117N20NFDATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB117N20NFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 84 A, 0.0103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 84A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS FD, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPB117N20NFDATMA1 за ціною від 200.42 грн до 626.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB117N20NFDATMA1 IPB117N20NFDATMA1 Infineon Technologies 4744ds_ipb117n20nfd_2_0.pdffolderiddb3a304325305e6d012596c6ca7b290afi.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+325.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB117N20NFDATMA1 IPB117N20NFDATMA1 Infineon Technologies 4744ds_ipb117n20nfd_2_0.pdffolderiddb3a304325305e6d012596c6ca7b290afi.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+326.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB117N20NFDATMA1 IPB117N20NFDATMA1 Infineon Technologies 4744ds_ipb117n20nfd_2_0.pdffolderiddb3a304325305e6d012596c6ca7b290afi.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+419.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB117N20NFDATMA1 IPB117N20NFDATMA1 Infineon Technologies DS_IPB117N20NFD_2_0.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043440adf7501440c8377500152 Description: MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 84A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+475.69 грн
10+334.37 грн
100+252.60 грн
500+200.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB117N20NFDATMA1 IPB117N20NFDATMA1 Infineon Technologies 4744ds_ipb117n20nfd_2_0.pdffolderiddb3a304325305e6d012596c6ca7b290afi.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+626.35 грн
29+499.91 грн
50+468.30 грн
200+450.45 грн
500+378.40 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB117N20NFDATMA1 IPB117N20NFDATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB117N20NFD_DS_v02_00_en-1731707.pdf MOSFETs N-Ch 200V 84A D2PAK-2
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB117N20NFDATMA1 IPB117N20NFDATMA1 INFINEON INFNS29196-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB117N20NFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 84 A, 0.0103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS FD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB117N20NFDATMA1 IPB117N20NFDATMA1 INFINEON INFNS29196-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB117N20NFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 84 A, 0.0103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS FD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB117N20NFDATMA1 4744ds_ipb117n20nfd_2_0.pdffolderiddb3a304325305e6d012596c6ca7b290afi.pdf
IPB117N20NFDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+325.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB117N20NFDATMA1 4744ds_ipb117n20nfd_2_0.pdffolderiddb3a304325305e6d012596c6ca7b290afi.pdf
IPB117N20NFDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+326.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB117N20NFDATMA1 4744ds_ipb117n20nfd_2_0.pdffolderiddb3a304325305e6d012596c6ca7b290afi.pdf
IPB117N20NFDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+419.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB117N20NFDATMA1 DS_IPB117N20NFD_2_0.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043440adf7501440c8377500152
IPB117N20NFDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 84A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+475.69 грн
10+334.37 грн
100+252.60 грн
500+200.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB117N20NFDATMA1 4744ds_ipb117n20nfd_2_0.pdffolderiddb3a304325305e6d012596c6ca7b290afi.pdf
IPB117N20NFDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+626.35 грн
29+499.91 грн
50+468.30 грн
200+450.45 грн
500+378.40 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB117N20NFDATMA1 Infineon_IPB117N20NFD_DS_v02_00_en-1731707.pdf
IPB117N20NFDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 200V 84A D2PAK-2
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB117N20NFDATMA1 INFNS29196-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB117N20NFDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB117N20NFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 84 A, 0.0103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS FD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB117N20NFDATMA1 INFNS29196-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB117N20NFDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB117N20NFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 84 A, 0.0103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS FD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.