Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB120N04S402ATMA1
IPB120N04S402ATMA1

IPB120N04S402ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPP_B_I120N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c33093d5d37&ack=t Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10740 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+76.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB120N04S402ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB120N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00188 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 158W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00188ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPB120N04S402ATMA1 за ціною від 62.34 грн до 234.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB120N04S402ATMA1 IPB120N04S402ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i120n04s4-02_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
149+83.72 грн
151+82.39 грн
154+81.06 грн
156+76.88 грн
250+69.99 грн
Мінімальне замовлення: 149
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 IPB120N04S402ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i120n04s4-02_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+83.84 грн
2000+81.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 IPB120N04S402ATMA1 Виробник : INFINEON INFNS15042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB120N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00188 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00188ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+88.66 грн
500+81.53 грн
1000+74.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 IPB120N04S402ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i120n04s4-02_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+89.23 грн
2000+86.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 IPB120N04S402ATMA1 Виробник : INFINEON INFNS15042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB120N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1880 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1880µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+89.52 грн
100+83.58 грн
500+69.46 грн
1000+62.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 IPB120N04S402ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i120n04s4-02_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+89.70 грн
10+88.28 грн
25+86.85 грн
100+82.37 грн
250+74.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 IPB120N04S402ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP_B_I120N04S4_02_DS_v01_00_en.pdf MOSFETs N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.58 грн
10+90.89 грн
100+73.89 грн
500+71.90 грн
1000+70.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 IPB120N04S402ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i120n04s4-02_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+106.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 IPB120N04S402ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i120n04s4-02_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
216+144.05 грн
500+129.54 грн
1000+119.18 грн
Мінімальне замовлення: 216
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 IPB120N04S402ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i120n04s4-02_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
216+144.05 грн
Мінімальне замовлення: 216
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 IPB120N04S402ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i120n04s4-02_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
81+155.04 грн
99+126.02 грн
112+111.93 грн
500+103.93 грн
1000+89.57 грн
2000+82.53 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 IPB120N04S402ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I120N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c33093d5d37&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10740 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+234.06 грн
10+146.27 грн
100+101.55 грн
500+81.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B_I120N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c33093d5d37&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 40V; 120A; Idm: 120A; 158W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 158W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.88mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 134nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+92.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 Виробник : Infineon Infineon-IPP_B_I120N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c33093d5d37&ack=t
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 IPB120N04S402ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i120n04s4-02_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B_I120N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c33093d5d37&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 158W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 1.58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 134nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.