Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB120N04S402ATMA1
IPB120N04S402ATMA1

IPB120N04S402ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPP_B_I120N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c33093d5d37&ack=t
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+71.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB120N04S402ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB120N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1880 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 158W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1880µohm.

Інші пропозиції IPB120N04S402ATMA1 за ціною від 75.30 грн до 272.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB120N04S402ATMA1 IPB120N04S402ATMA1 Infineon Technologies ipp_b_i120n04s4-02_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+94.71 грн
2000+91.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 IPB120N04S402ATMA1 Infineon Technologies infineonippbi120n04s402dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+101.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 IPB120N04S402ATMA1 Infineon Technologies infineonippbi120n04s402dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+103.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 IPB120N04S402ATMA1 Infineon Technologies infineonippbi120n04s402dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+109.98 грн
2000+108.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 IPB120N04S402ATMA1 Infineon Technologies infineonippbi120n04s402dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+109.98 грн
2000+108.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 IPB120N04S402ATMA1 Infineon Technologies infineonippbi120n04s402dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+113.36 грн
125+112.60 грн
126+111.84 грн
250+107.11 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 IPB120N04S402ATMA1 Infineon Technologies infineonippbi120n04s402dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+114.12 грн
10+113.36 грн
25+112.60 грн
100+107.85 грн
250+99.18 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 IPB120N04S402ATMA1 Infineon Technologies infineonippbi120n04s402dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+162.73 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 IPB120N04S402ATMA1 Infineon Technologies infineonippbi120n04s402dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+162.73 грн
500+146.34 грн
1000+134.64 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 IPB120N04S402ATMA1 Infineon Technologies ipp_b_i120n04s4-02_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+175.14 грн
99+142.36 грн
112+126.44 грн
500+117.41 грн
1000+101.19 грн
2000+93.24 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 IPB120N04S402ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I120N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c33093d5d37&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10740 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.06 грн
10+135.64 грн
100+94.17 грн
500+75.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 IPB120N04S402ATMA1 Infineon Technologies infineonippbi120n04s402dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+270.98 грн
10+188.04 грн
100+136.21 грн
500+113.27 грн
1000+98.69 грн
2000+93.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 IPB120N04S402ATMA1 Infineon Technologies infineonippbi120n04s402dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+272.85 грн
75+189.34 грн
103+137.15 грн
500+114.06 грн
1000+99.38 грн
2000+94.44 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 IPB120N04S402ATMA1 INFINEON INFNS15042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB120N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1880 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 158W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1880µohm
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 IPB120N04S402ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPP_B_I120N04S4_02_DS_v01_00_en.pdf MOSFETs N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 IPB120N04S402ATMA1 INFINEON Infineon-IPP_B_I120N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c33093d5d37&ack=t Description: INFINEON - IPB120N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1880 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1880µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 Infineon Infineon-IPP_B_I120N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c33093d5d37&ack=t
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 ipp_b_i120n04s4-02_ds_1_0.pdf
IPB120N04S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+94.71 грн
2000+91.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 infineonippbi120n04s402dsv0100en.pdf
IPB120N04S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+101.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 infineonippbi120n04s402dsv0100en.pdf
IPB120N04S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+103.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 infineonippbi120n04s402dsv0100en.pdf
IPB120N04S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+109.98 грн
2000+108.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 infineonippbi120n04s402dsv0100en.pdf
IPB120N04S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+109.98 грн
2000+108.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 infineonippbi120n04s402dsv0100en.pdf
IPB120N04S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
124+113.36 грн
125+112.60 грн
126+111.84 грн
250+107.11 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 infineonippbi120n04s402dsv0100en.pdf
IPB120N04S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+114.12 грн
10+113.36 грн
25+112.60 грн
100+107.85 грн
250+99.18 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 infineonippbi120n04s402dsv0100en.pdf
IPB120N04S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
216+162.73 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 infineonippbi120n04s402dsv0100en.pdf
IPB120N04S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
216+162.73 грн
500+146.34 грн
1000+134.64 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 ipp_b_i120n04s4-02_ds_1_0.pdf
IPB120N04S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
81+175.14 грн
99+142.36 грн
112+126.44 грн
500+117.41 грн
1000+101.19 грн
2000+93.24 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 Infineon-IPP_B_I120N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c33093d5d37&ack=t
IPB120N04S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10740 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+217.06 грн
10+135.64 грн
100+94.17 грн
500+75.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 infineonippbi120n04s402dsv0100en.pdf
IPB120N04S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+270.98 грн
10+188.04 грн
100+136.21 грн
500+113.27 грн
1000+98.69 грн
2000+93.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 infineonippbi120n04s402dsv0100en.pdf
IPB120N04S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
52+272.85 грн
75+189.34 грн
103+137.15 грн
500+114.06 грн
1000+99.38 грн
2000+94.44 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 INFNS15042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB120N04S402ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB120N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1880 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 158W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1880µohm
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 Infineon_IPP_B_I120N04S4_02_DS_v01_00_en.pdf
IPB120N04S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 Infineon-IPP_B_I120N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c33093d5d37&ack=t
IPB120N04S402ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB120N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1880 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1880µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 Infineon-IPP_B_I120N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c33093d5d37&ack=t
Виробник: Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.