Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB120N04S402ATMA1

IPB120N04S402ATMA1 Infineon Technologies

Name: IPB120N04S402ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 2783307-3
Price: 73140.00 UAH
Availability: InStock

Infineon-IPP_B_I120N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c33093d5d37&ack=t

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10740 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	73.14 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPB120N04S402ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB120N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1880 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 158W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1880µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPB120N04S402ATMA1 за ціною від 59.32 грн до 222.71 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IPB120N04S402ATMA1

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IPB120N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1880 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1880µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4363 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	79.52 грн
500+	66.09 грн
1000+	59.32 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S402ATMA1

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IPB120N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1880 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1880µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 3822 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	85.18 грн
100+	79.52 грн
500+	66.09 грн
1000+	59.32 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S402ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 452 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
149+	87.48 грн
151+	86.09 грн
154+	84.70 грн
156+	80.33 грн
250+	73.13 грн

Мінімальне замовлення: 149

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S402ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	87.60 грн
2000+	84.94 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S402ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Infineon_IPP_B_I120N04S4_02_DS_v01_00_en.pdf

MOSFETs N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2

на замовлення 949 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	89.27 грн
10+	83.15 грн
100+	67.60 грн
500+	65.78 грн
1000+	64.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S402ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	93.24 грн
2000+	90.41 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S402ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 452 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	93.73 грн
10+	92.24 грн
25+	90.75 грн
100+	86.07 грн
250+	78.36 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S402ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 4241 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
216+	150.52 грн
500+	135.36 грн
1000+	124.53 грн

Мінімальне замовлення: 216

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S402ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
216+	150.52 грн

Мінімальне замовлення: 216

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S402ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
81+	162.00 грн
99+	131.68 грн
112+	116.95 грн
500+	108.60 грн
1000+	93.59 грн
2000+	86.24 грн

Мінімальне замовлення: 81

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S402ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10740 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1601 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	222.71 грн
10+	139.17 грн
100+	96.62 грн
500+	77.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S402ATMA1

Виробник : Infineon

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S402ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.