Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB120N04S402ATMA1

IPB120N04S402ATMA1 Infineon Technologies

Name: IPB120N04S402ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 2783307-3
Price: 72130.00 UAH
Availability: InStock

Infineon-IPP_B_I120N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c33093d5d37&ack=t

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10740 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	72.13 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPB120N04S402ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB120N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1880 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 158W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1880µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPB120N04S402ATMA1 за ціною від 58.50 грн до 249.56 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IPB120N04S402ATMA1

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IPB120N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1880 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1880µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4363 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	78.42 грн
500+	65.17 грн
1000+	58.50 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S402ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Infineon_IPP_B_I120N04S4_02_DS_v01_00_en.pdf

MOSFETs N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2

на замовлення 949 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	88.03 грн
10+	82.00 грн
100+	66.67 грн
500+	64.87 грн
1000+	63.48 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S402ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	93.03 грн
2000+	90.20 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S402ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 452 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	93.52 грн
10+	92.04 грн
25+	90.54 грн
100+	85.87 грн
250+	78.18 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S402ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 452 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
149+	93.52 грн
151+	92.04 грн
154+	90.54 грн
156+	85.87 грн
250+	78.18 грн

Мінімальне замовлення: 149

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S402ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	93.65 грн
2000+	90.80 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S402ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 4241 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
216+	160.91 грн
500+	144.70 грн
1000+	133.13 грн

Мінімальне замовлення: 216

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S402ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
216+	160.91 грн

Мінімальне замовлення: 216

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S402ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
81+	173.18 грн
99+	140.77 грн
112+	125.02 грн
500+	116.09 грн
1000+	100.05 грн
2000+	92.19 грн

Мінімальне замовлення: 81

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S402ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10740 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1601 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	219.62 грн
10+	137.24 грн
100+	95.28 грн
500+	76.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S402ATMA1

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IPB120N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1880 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1880µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 3820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	249.56 грн
10+	163.14 грн
100+	102.57 грн
500+	92.24 грн
1000+	78.23 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S402ATMA1

Виробник : Infineon

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPB120N04S402ATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.