Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB120N04S4L02ATMA1
IPB120N04S4L02ATMA1

IPB120N04S4L02ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPB120N04S4L0210-DS-v01_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014670f27bb46492 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14560 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.36 грн
10+133.10 грн
100+104.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB120N04S4L02ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 158W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 110µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14560 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPB120N04S4L02ATMA1 за ціною від 72.73 грн до 193.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB120N04S4L02ATMA1 IPB120N04S4L02ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB120N04S4L0210_DS_v01_00_en-1227162.pdf MOSFETs N-CHANNEL 30/40V
на замовлення 2107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.51 грн
10+140.10 грн
100+96.14 грн
500+88.07 грн
1000+83.67 грн
2000+82.93 грн
5000+72.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S4L02ATMA1 IPB120N04S4L02ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 9758ipb120n04s4l-02-data-sheet-10-infineon.pdffolderiddb3a304412b4079.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S4L02ATMA1 IPB120N04S4L02ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB120N04S4L0210-DS-v01_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014670f27bb46492 Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14560 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.