IPB120N06S402ATMA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 221+ | 161.36 грн |
| 500+ | 153.06 грн |
| 1000+ | 144.75 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
221 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB120N06S402ATMA2 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 188W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IPB120N06S402ATMA2 за ціною від 98.00 грн до 334.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPB120N06S402ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2507 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPB120N06S402ATMA2 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPB120N06S402ATMA2 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 120A D2PAK-2 |
на замовлення 88 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB120N06S402ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPB120N06S402ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IPB120N06S402ATMA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 221+ | 161.36 грн |
| 500+ | 153.06 грн |
| 1000+ | 144.75 грн |
| IPB120N06S402ATMA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 290.02 грн |
| 10+ | 183.61 грн |
| 100+ | 129.10 грн |
| 500+ | 99.32 грн |
| IPB120N06S402ATMA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 120A D2PAK-2
MOSFETs N-Ch 60V 120A D2PAK-2
на замовлення 88 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 322.51 грн |
| 10+ | 208.57 грн |
| 100+ | 134.56 грн |
| 500+ | 113.36 грн |
| 1000+ | 105.31 грн |
| 2000+ | 98.00 грн |
| IPB120N06S402ATMA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 334.18 грн |
| 10+ | 232.88 грн |
| 100+ | 169.53 грн |
| 500+ | 136.09 грн |
| IPB120N06S402ATMA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 43+ | 334.75 грн |
| 62+ | 233.28 грн |
| 100+ | 169.82 грн |
| 500+ | 136.32 грн |