Продукція > INFINEON > IPB120N06S403ATMA2
IPB120N06S403ATMA2

IPB120N06S403ATMA2 INFINEON

Infineon-I120N06S4_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038c634110ccc
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB120N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+121.70 грн
500+91.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB120N06S403ATMA2 INFINEON

Description: INFINEON - IPB120N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 167W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPB120N06S403ATMA2 за ціною від 78.94 грн до 265.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPB120N06S403ATMA2 IPB120N06S403ATMA2 Infineon Technologies Infineon_I120N06S4_03_DS_v01_00_en.pdf MOSFETs N-Ch 60V 120A D2PAK-2
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.60 грн
10+166.16 грн
100+104.31 грн
500+84.58 грн
1000+78.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S403ATMA2 IPB120N06S403ATMA2 INFINEON INFNS14115-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB120N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+265.60 грн
10+169.39 грн
100+121.70 грн
500+91.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S403ATMA2 Infineon_I120N06S4_03_DS_v01_00_en.pdf
IPB120N06S403ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 120A D2PAK-2
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+265.60 грн
10+166.16 грн
100+104.31 грн
500+84.58 грн
1000+78.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S403ATMA2 INFNS14115-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB120N06S403ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB120N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+265.60 грн
10+169.39 грн
100+121.70 грн
500+91.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.