IPB120N06S403ATMA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB120N06S403ATMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPB120N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 167W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 167W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm.
Інші пропозиції IPB120N06S403ATMA2 за ціною від 96.58 грн до 308.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB120N06S403ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB120N06S403ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB120N06S403ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB120N06S403ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB120N06S403ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB120N06S403ATMA2 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13150 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB120N06S403ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPB120N06S403ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPB120N06S403ATMA2 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 120A D2PAK-2 |
на замовлення 1668 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
IPB120N06S403ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB120N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 167W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm |
на замовлення 496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
IPB120N06S403ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB120N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung Pd: 167W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 167W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm |
на замовлення 496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPB120N06S403ATMA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 122.18 грн |
| IPB120N06S403ATMA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 122.18 грн |
| IPB120N06S403ATMA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 239+ | 148.51 грн |
| 500+ | 141.44 грн |
| 1000+ | 133.18 грн |
| IPB120N06S403ATMA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 239+ | 148.51 грн |
| 500+ | 141.44 грн |
| IPB120N06S403ATMA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 239+ | 148.51 грн |
| IPB120N06S403ATMA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 281.49 грн |
| 10+ | 177.38 грн |
| 50+ | 137.24 грн |
| 100+ | 116.66 грн |
| 500+ | 96.58 грн |
| IPB120N06S403ATMA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 308.53 грн |
| 10+ | 211.86 грн |
| 25+ | 209.75 грн |
| 50+ | 181.78 грн |
| 100+ | 143.01 грн |
| 250+ | 135.89 грн |
| 500+ | 113.41 грн |
| IPB120N06S403ATMA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 46+ | 308.53 грн |
| 67+ | 211.86 грн |
| 68+ | 209.75 грн |
| 76+ | 181.78 грн |
| 100+ | 143.01 грн |
| 250+ | 135.89 грн |
| 500+ | 113.41 грн |
| IPB120N06S403ATMA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 120A D2PAK-2
MOSFETs N-Ch 60V 120A D2PAK-2
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPB120N06S403ATMA2 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB120N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
Description: INFINEON - IPB120N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPB120N06S403ATMA2 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB120N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
Description: INFINEON - IPB120N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)