Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB120N06S403ATMA2
IPB120N06S403ATMA2

IPB120N06S403ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-I120N06S4_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038c634110ccc
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+93.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB120N06S403ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB120N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 167W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 167W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm.

Інші пропозиції IPB120N06S403ATMA2 за ціною від 90.68 грн до 310.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB120N06S403ATMA2 IPB120N06S403ATMA2 Infineon Technologies infineoni120n06s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+123.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S403ATMA2 IPB120N06S403ATMA2 Infineon Technologies infineoni120n06s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+123.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S403ATMA2 IPB120N06S403ATMA2 Infineon Technologies infineoni120n06s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+149.50 грн
500+142.38 грн
1000+134.07 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S403ATMA2 IPB120N06S403ATMA2 Infineon Technologies infineoni120n06s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+149.50 грн
500+142.38 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S403ATMA2 IPB120N06S403ATMA2 Infineon Technologies infineoni120n06s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+149.50 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S403ATMA2 IPB120N06S403ATMA2 Infineon Technologies Infineon-I120N06S4_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038c634110ccc Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.42 грн
10+168.98 грн
50+130.71 грн
100+111.10 грн
500+91.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S403ATMA2 IPB120N06S403ATMA2 Infineon Technologies infineon_ipb120n06s4_03_datasheet_en.pdf MOSFETs N-Ch 60V 120A D2PAK-2
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+297.77 грн
10+148.86 грн
100+117.74 грн
500+97.27 грн
1000+90.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S403ATMA2 IPB120N06S403ATMA2 Infineon Technologies infineoni120n06s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+310.59 грн
10+213.28 грн
25+211.15 грн
50+183.00 грн
100+143.96 грн
250+136.80 грн
500+114.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S403ATMA2 IPB120N06S403ATMA2 Infineon Technologies infineoni120n06s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+310.59 грн
67+213.28 грн
68+211.15 грн
76+183.00 грн
100+143.96 грн
250+136.80 грн
500+114.16 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S403ATMA2 IPB120N06S403ATMA2 INFINEON INFNS14115-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB120N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S403ATMA2 IPB120N06S403ATMA2 INFINEON INFNS14115-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB120N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S403ATMA2 infineoni120n06s403dsv0100en.pdf
IPB120N06S403ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+123.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S403ATMA2 infineoni120n06s403dsv0100en.pdf
IPB120N06S403ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+123.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S403ATMA2 infineoni120n06s403dsv0100en.pdf
IPB120N06S403ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
239+149.50 грн
500+142.38 грн
1000+134.07 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S403ATMA2 infineoni120n06s403dsv0100en.pdf
IPB120N06S403ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
239+149.50 грн
500+142.38 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S403ATMA2 infineoni120n06s403dsv0100en.pdf
IPB120N06S403ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
239+149.50 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S403ATMA2 Infineon-I120N06S4_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038c634110ccc
IPB120N06S403ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+268.42 грн
10+168.98 грн
50+130.71 грн
100+111.10 грн
500+91.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S403ATMA2 infineon_ipb120n06s4_03_datasheet_en.pdf
IPB120N06S403ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 120A D2PAK-2
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+297.77 грн
10+148.86 грн
100+117.74 грн
500+97.27 грн
1000+90.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S403ATMA2 infineoni120n06s403dsv0100en.pdf
IPB120N06S403ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+310.59 грн
10+213.28 грн
25+211.15 грн
50+183.00 грн
100+143.96 грн
250+136.80 грн
500+114.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S403ATMA2 infineoni120n06s403dsv0100en.pdf
IPB120N06S403ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+310.59 грн
67+213.28 грн
68+211.15 грн
76+183.00 грн
100+143.96 грн
250+136.80 грн
500+114.16 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S403ATMA2 INFNS14115-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB120N06S403ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB120N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S403ATMA2 INFNS14115-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB120N06S403ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB120N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.