на замовлення 7003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 439.67 грн |
| 10+ | 364.29 грн |
| 25+ | 299.03 грн |
| 100+ | 256.7 грн |
| 250+ | 241.68 грн |
| 500+ | 228.03 грн |
| 1000+ | 195.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPB120N08S403ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 278W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 223µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IPB120N08S403ATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB120N08S403ATMA1 | Виробник : Infineon |
 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IPB120N08S403ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|
 |
IPB120N08S403ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 223µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
|
|
|
IPB120N08S403ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 223µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |