Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB120N08S403ATMA1
IPB120N08S403ATMA1

IPB120N08S403ATMA1 Infineon Technologies

Infineon_IPP_B_I120N08S4_03_DataSheet_v01_10_EN-3168080.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-CHANNEL 75/80V
на замовлення 7003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+467.33 грн
10+387.21 грн
25+317.84 грн
100+272.85 грн
250+256.88 грн
500+242.37 грн
1000+207.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB120N08S403ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 278W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 223µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPB120N08S403ATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB120N08S403ATMA1 Виробник : Infineon IPP_B_I120N08S4-03-Data-Sheet-10-Infineon.pdf?fileId=5546d4614755559a014763906e790512
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N08S403ATMA1 IPB120N08S403ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 179ipp_b_i120n08s4-03-data-sheet-10-infineon.pdffolderid5546d4614755.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N08S403ATMA1 IPB120N08S403ATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPP_B_I120N08S4-03-Data-Sheet-10-Infineon.pdf?fileId=5546d4614755559a014763906e790512 Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 223µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N08S403ATMA1 IPB120N08S403ATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPP_B_I120N08S4-03-Data-Sheet-10-Infineon.pdf?fileId=5546d4614755559a014763906e790512 Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 223µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.