Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPB120N08S404ATMA1
IPB120N08S404ATMA1

IPB120N08S404ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipp_b_i120n08s4-04-datasheet-v01_10-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
170+208.62 грн
500+196.83 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB120N08S404ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPB120N08S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 179W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm.

Інші пропозиції IPB120N08S404ATMA1 за ціною від 126.09 грн до 357.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB120N08S404ATMA1 IPB120N08S404ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipp_b_i120n08s4-04-datasheet-v01_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+208.62 грн
500+196.83 грн
1000+186.22 грн
10000+169.34 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N08S404ATMA1 IPB120N08S404ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipp_b_i120n08s4-04-datasheet-v01_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+208.62 грн
500+196.83 грн
1000+186.22 грн
10000+169.34 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N08S404ATMA1 IPB120N08S404ATMA1 Infineon Technologies 178ipp_b_i120n08s4-04-data-sheet-10-infineon.pdffolderid5546d4614755.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+215.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N08S404ATMA1 IPB120N08S404ATMA1 Infineon Technologies IPP_B_I120N08S4-04-Data-Sheet-10-Infineon.pdf?fileId=5546d4614755559a0147638e7ed704fd Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+357.42 грн
10+228.32 грн
100+162.47 грн
500+126.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N08S404ATMA1 IPB120N08S404ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPP_B_I120N08S4_04_DataSheet_v01_10_EN-3362851.pdf MOSFET N-CHANNEL 75/80V
на замовлення 2549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N08S404ATMA1 IPB120N08S404ATMA1 INFINEON 3919301.pdf Description: INFINEON - IPB120N08S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N08S404ATMA1 IPB120N08S404ATMA1 INFINEON 3919301.pdf Description: INFINEON - IPB120N08S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N08S404ATMA1 infineon-ipp_b_i120n08s4-04-datasheet-v01_10-en.pdf
IPB120N08S404ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
170+208.62 грн
500+196.83 грн
1000+186.22 грн
10000+169.34 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N08S404ATMA1 infineon-ipp_b_i120n08s4-04-datasheet-v01_10-en.pdf
IPB120N08S404ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
170+208.62 грн
500+196.83 грн
1000+186.22 грн
10000+169.34 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N08S404ATMA1 178ipp_b_i120n08s4-04-data-sheet-10-infineon.pdffolderid5546d4614755.pdf
IPB120N08S404ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+215.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N08S404ATMA1 IPP_B_I120N08S4-04-Data-Sheet-10-Infineon.pdf?fileId=5546d4614755559a0147638e7ed704fd
IPB120N08S404ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+357.42 грн
10+228.32 грн
100+162.47 грн
500+126.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N08S404ATMA1 Infineon_IPP_B_I120N08S4_04_DataSheet_v01_10_EN-3362851.pdf
IPB120N08S404ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-CHANNEL 75/80V
на замовлення 2549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N08S404ATMA1 3919301.pdf
IPB120N08S404ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB120N08S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N08S404ATMA1 3919301.pdf
IPB120N08S404ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB120N08S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.