Продукція > INFINEON > IPB120N10S403ATMA1
IPB120N10S403ATMA1

IPB120N10S403ATMA1 INFINEON

3974498.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB120N10S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+173.31 грн
500+122.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPB120N10S403ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPB120N10S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-263, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPB120N10S403ATMA1 за ціною від 122.61 грн до 377.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB120N10S403ATMA1 IPB120N10S403ATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPP_B_I120N10S4-03-Data-Sheet-10-Infineon.pdf?fileId=5546d46147a9c2e401480c5c81580b3a Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10120 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+327.87 грн
10+213.04 грн
100+151.88 грн
500+134.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N10S403ATMA1 IPB120N10S403ATMA1 Виробник : INFINEON 3974498.pdf Description: INFINEON - IPB120N10S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+358.17 грн
10+243.46 грн
100+173.31 грн
500+122.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N10S403ATMA1 IPB120N10S403ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP_B_I120N10S4_03_DataSheet_v01_10_EN-3362852.pdf MOSFETs N-CHANNEL 100+
на замовлення 733 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+377.65 грн
10+251.27 грн
100+156.70 грн
250+155.96 грн
500+137.57 грн
1000+127.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N10S403ATMA1 IPB120N10S403ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 389ipp_b_i120n10s4-03-data-sheet-10-infineon.pdffolderiddb3a30431f84.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N10S403ATMA1 IPB120N10S403ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp_b_i120n10s4-03-datasheet-v01_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N10S403ATMA1 IPB120N10S403ATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPP_B_I120N10S4-03-Data-Sheet-10-Infineon.pdf?fileId=5546d46147a9c2e401480c5c81580b3a Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10120 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.